[发明专利]半导体存储装置以及错误检测纠正相关信息的读出方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

与非型的存储单元阵列；

连续读出部件，连续地读出所述存储单元阵列的页；

存储部件，针对由所述连续读出部件连续读出的页，存储与由错误检测纠正电路进行了错误纠正的页相关的错误检测纠正相关信息；以及

输出部件，响应于连续读出动作后的读出命令，输出所述存储部件中所存储的所述错误检测纠正相关信息。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述错误检测纠正相关信息为由所述错误检测纠正电路进行了错误纠正的所有页的页地址。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述错误检测纠正相关信息为由所述错误检测纠正电路进行了错误纠正的页数。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述错误检测纠正相关信息为由所述错误检测纠正电路进行了错误纠正的最初页的页地址及最后页的页地址。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述错误检测纠正相关信息包括进行了错误纠正的所有页的页地址的第一信息、进行了错误纠正的页数的第二信息以及进行了错误纠正的最初页及最后页的各页地址的第三信息中的至少一个。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中准备与所述第一信息、所述第二信息及所述第三信息的组合相应的多个读出命令，

所述输出部件能够输出与所述多个读出命令分别对应的所述第一信息、所述第二信息、所述第三信息的组合。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还包括：

设定部件，设定所述错误检测纠正相关信息的选择，

所述输出部件响应于连续读出动作后的读出命令，输出由所述设定部件选择的错误检测纠正相关信息。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中所述错误检测纠正相关信息包括作为进行了错误纠正的所有页的页地址的第一信息、作为进行了错误纠正的页数的第二信息以及作为进行了错误纠正的最初页及最后页的各页地址的第三信息中的至少一个，所述设定部件设定所述第一信息、所述第二信息及所述第三信息中的任一个的选择。

9.根据权利要求7或8所述的半导体存储装置，其中所述设定部件基于所输入的设定信息，设定所述错误检测纠正相关信息的选择。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体存储装置，其中所述存储部件包括能够读写的易失性的随机存取存储器区域。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体存储装置，其中所述连续读出动作后的读出命令是在其他的页读出命令之前输入。

12.一种错误检测纠正相关信息的读出方法，适用于与非型闪速存储器，所述读出方法包括：

读出步骤，连续地读出存储单元阵列的页；

存储步骤，针对连续读出的页，存储与由错误检测纠正电路进行了错误纠正的页相关的错误检测纠正相关信息；以及

输出步骤，响应于连续读出动作后的读出命令，输出所述错误检测纠正相关信息，

所述错误检测纠正相关信息包括进行了错误纠正的所有页的页地址、进行了错误纠正的页数以及进行了错误纠正的最初页的页地址及最后页的页地址中的至少一个。

13.根据权利要求12所述的读出方法，其中所述读出命令是使进行了错误纠正的所有页的页地址、进行了错误纠正的页数以及进行了错误纠正的最初页的页地址及最后页的页地址中的至少一个输出。

14.根据权利要求12或13所述的读出方法，其中所述读出方法还包括设定所述错误检测纠正相关信息的选择的设定步骤，

所述输出步骤输出在所述设定步骤中选择的所述错误检测纠正相关信息。