[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构制备方法，其特征在于，所述半导体结构制备方法包括：

提供一半导体衬底；

于所述半导体衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括若干叠层对，每个叠层对包括第一叠层单元与第二叠层单元；

所述堆叠结构具有阶梯区域，于所述阶梯区域中形成多级台阶，每级所述台阶包括至少一个所述叠层对，每级所述台阶的顶面显露出对应的所述叠层对的所述第二叠层单元的表面；

形成蚀刻缓冲层覆盖所述第二叠层单元的表面，其中，所述蚀刻缓冲层为硅金属合金；

于各所述蚀刻缓冲层上同时形成接触孔，所述接触孔显露所述蚀刻缓冲层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构制备方法，其特征在于，所述半导体结构制备方法还包括，于所述接触孔中填充导电材料以形成连接柱，所述连接柱与对应的所述蚀刻缓冲层接触。

3.根据权利要求2所述的半导体结构制备方法，其特征在于，所述于所述接触孔中填充导电材料以形成连接柱的步骤之后还包括，于所述连接柱的顶部形成栓塞的步骤。

4.根据权利要求2所述的半导体结构制备方法，其特征在于，所述连接柱的材料包括包氮化钛及钨复合层。

5.根据权利要求1所述的半导体结构制备方法，其特征在于，所述形成蚀刻缓冲层覆盖所述第二叠层单元的表面的步骤包括：

于所述台阶的侧壁形成侧壁间隔层；

于被形成有所述侧壁间隔层的所述台阶的顶面显露出的所述第二叠层单元的表面形成所述蚀刻缓冲层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构制备方法，其特征在于，所述侧壁间隔层的材料包括氧化硅。

7.根据权利要求1所述的半导体结构制备方法，其特征在于，所述第一叠层单元为层间介质层，所述第二叠层单元为栅极层。

8.根据权利要求1所述的半导体结构制备方法，其特征在于，所述第一叠层单元为层间介质层，所述第二叠层单元为牺牲层。

9.根据权利要求8所述的半导体结构制备方法，其特征在于，所述半导体结构制备方法还包括，利用栅极导电层替换所述堆叠结构中的第二叠层单元以形成栅极层的步骤。

10.根据权利要求1所述的半导体结构制备方法，其特征在于，所述半导体衬底与所述堆叠结构之间还形成有外延牺牲层。

11.根据权利要求10所述的半导体结构制备方法，其特征在于，所述半导体结构制备方法包括：

于所述堆叠结构中形成贯穿所述堆叠结构的栅线隔离槽，所述栅线隔离槽显露出所述外延牺牲层；

基于所述栅线隔离槽去除所述外延牺牲层以形成外延间隙；

于所述外延间隙中形成外延层。

12.根据权利要求11所述的半导体结构制备方法，其特征在于，所述半导体结构制备方法包括，于所述栅线隔离槽中填充形成隔离槽填充层的步骤。

13.根据权利要求1所述的半导体结构制备方法，其特征在于，所述形成蚀刻缓冲层覆盖所述第二叠层单元的表面的步骤包括：

形成多晶硅过渡层覆盖所述第二叠层单元的表面；

于所述多晶硅过渡层的表面形成金属层，所述金属层与所述多晶硅过渡层形成硅金属合金，所述硅金属合金作为所述蚀刻缓冲层。

14.根据权利要求13所述的半导体结构制备方法，其特征在于，所述于所述多晶硅过渡层的表面形成金属层，所述金属层与所述多晶硅过渡层形成硅金属合金，所述硅金属合金作为所述蚀刻缓冲层的步骤包括：

于所述多晶硅过渡层的表面形成金属层；

进行退火处理，以使所述金属层与所述多晶硅过渡层形成硅金属合金，所述硅金属合金作为所述蚀刻缓冲层。