[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

本发明描述了半导体器件及其形成方法。半导体器件包括位于衬底上的纳米结构和与纳米结构接触的源极/漏极区。源极/漏极区包括外延端帽，其中，每个外延端帽形成在纳米结构的一个纳米结构的端部处。源极/漏极区还包括与外延端帽接触的外延体和形成在外延体上的外延顶帽。半导体器件还包括形成在纳米结构上的栅极结构。本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

随着半导体技术的进步，对更高的存储容量，更快的处理系统，更高的性能以及更低的成本的需求不断增长。为了满足这些需求，半导体工业持续按比例缩小半导体器件的尺寸，并且引入了诸如全环栅场效应晶体管和鳍式场效应晶体管(finFET)的三维晶体管。

发明内容

本申请的实施例提供一种半导体器件，包括：多个纳米结构，位于衬底上；源极/漏极区，与所述多个纳米结构接触，所述源极/漏极区包括：多个外延端帽，其中，每个外延端帽形成在所述多个纳米结构的一个纳米结构的端部处；外延体，与所述多个外延端帽接触；以及外延顶帽，形成在所述外延体上；以及栅极结构，形成在所述多个纳米结构上。

本申请的实施例提供一种半导体器件，包括：多个纳米结构，其中，所述多个纳米结构的一个纳米结构包括非平坦的外表面；栅极介电层，环绕包裹所述多个纳米结构的每个纳米结构；栅电极，设置在所述栅极介电层上和所述多个纳米结构上；源极/漏极区，与所述多个纳米结构接触，所述源极/漏极区包括：多个外延端帽，其中，外延端帽形成在所述纳米结构的端部处并且包括第一掺杂剂浓度；以及外延体，与所述外延端帽接触，并且所述外延体包括大于所述第一掺杂剂浓度的第二掺杂剂浓度。

本申请的实施例提供一种方法，包括：在衬底上形成多个纳米结构；形成多个间隔件，其中，每个间隔件位于所述多个纳米结构的纳米结构对之间；蚀刻所述衬底以形成凹槽；在所述多个纳米结构的侧壁上、所述多个间隔件的侧壁上以及在所述凹槽中沉积第一外延层；蚀刻所述第一外延层以在所述凹槽中形成多个外延端帽和外延基底，其中，每个外延端帽形成在所述多个纳米结构的纳米结构的侧壁上，并且所述外延基底与所述多个间隔件的间隔件接触；在所述多个端帽和所述外延基底上沉积第二外延层；蚀刻所述第二外延层；以及在蚀刻的所述第二外延层上沉积第三外延层。

本申请的实施例提供了用于半导体器件的外延结构。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明。要强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据一些实施例的用于在半导体器件中制造多层外延源极/漏极结构的方法的流程图。

图2A至图2C、图3A、图3B和图4至图9示出了根据一些实施例的半导体器件的处于他们的制造工艺的各个阶段的各个截面图。

图10示出了根据一些实施例的半导体器件的部分的放大图和掺杂剂浓度分布的示意图。

图11和图12示出了根据一些实施例的具有多层外延源极/漏极结构的半导体器件的处于他们的制造工艺的各个阶段的各个截面图。

现在将参考附图描述示出的实施例。在图中，相似的参考数字通常表示相同的、功能相似的和/或结构的相似的元件。

具体实施方式