[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

多个纳米结构，位于衬底上；

源极/漏极区，与所述多个纳米结构接触，所述源极/漏极区包括：

多个外延端帽，其中，每个外延端帽形成在所述多个纳米结构的一个纳米结构的端部处；

外延体，与所述多个外延端帽接触；以及

外延顶帽，形成在所述外延体上；以及

栅极结构，形成在所述多个纳米结构上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个外延端帽的每个外延端帽包括月牙形截面形状。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个纳米结构的每个纳米结构包括非平坦外表面，并且所述多个端帽的每个外延端帽包括与所述非平坦外表面轮廓化的内表面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括多个内部间隔件，其中，所述多个内部间隔件的一个内部间隔件形成在所述多个纳米结构的相邻的纳米结构之间。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述多个外延端帽的外延端帽与所述内部间隔件接触。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括形成在所述衬底的凹穴中的外延基底，其中，所述外延基底和所述多个外延端帽使用相同的材料形成。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述外延体包括第一锗原子浓度，并且所述外延基底包括低于所述第一锗原子浓度的第二锗原子浓度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外延体包括第一锗原子浓度，并且所述多个外延端帽包括低于所述第一锗原子浓度的第二锗原子浓度。

9.一种半导体器件，包括：

多个纳米结构，其中，所述多个纳米结构的一个纳米结构包括非平坦的外表面；

栅极介电层，环绕包裹所述多个纳米结构的每个纳米结构；

栅电极，设置在所述栅极介电层上和所述多个纳米结构上；

源极/漏极区，与所述多个纳米结构接触，所述源极/漏极区包括：

多个外延端帽，其中，外延端帽形成在所述纳米结构的端部处并且包括第一掺杂剂浓度；以及

外延体，与所述外延端帽接触，并且所述外延体包括大于所述第一掺杂剂浓度的第二掺杂剂浓度。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成多个纳米结构；

形成多个间隔件，其中，每个间隔件位于所述多个纳米结构的纳米结构对之间；

蚀刻所述衬底以形成凹槽；

在所述多个纳米结构的侧壁上、所述多个间隔件的侧壁上以及在所述凹槽中沉积第一外延层；

蚀刻所述第一外延层以在所述凹槽中形成多个外延端帽和外延基底，其中，每个外延端帽形成在所述多个纳米结构的纳米结构的侧壁上，并且所述外延基底与所述多个间隔件的间隔件接触；

在所述多个端帽和所述外延基底上沉积第二外延层；

蚀刻所述第二外延层；以及

在蚀刻的所述第二外延层上沉积第三外延层。