[发明专利]三维存储器及其制作方法

说明书

本发明实施例提供了一种三维存储器及其制作方法，所述三维存储器包括：至少一个存储单元阵列块；所述存储单元阵列块至少包括：层叠设置的第一地址线层、多个第一相变存储单元以及第二地址线层；其中，第一地址线层与第二地址线层平行；所述第一地址线层包括多条均沿第一方向延伸的第一地址线；所述第二地址线层包括多条均沿第二方向延伸的第二地址线；所述第一方向与第二方向垂直；所述第一相变存储单元与所述第一地址线和第二地址线均垂直；所述第一地址线沿第一方向的长度与所述第二地址线沿第二方向的长度基本相同，且所述第一地址线的电阻与所述第二地址线的电阻基本相同。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其制作方法。

背景技术

三维交叉点存储器，如相变存储器(PCM，Phase Change Memory)是一种使用硫族化合物作为存储介质的存储技术，利用材料在不同状态下的电阻差异来保存数据。PCM具有可按位寻址、断电后数据不丢失、存储密度高、读写速度快等优势，被认为是最有前景的下一代存储器。

然而，相关技术中，三维交叉点存储器还存在各种挑战。

发明内容

为解决相关技术问题，本发明实施例提出一种三维存储器。

本发明实施例提供了一种三维存储器，包括：至少一个存储单元阵列块；

所述存储单元阵列块至少包括：层叠设置的第一地址线层、多个第一相变存储单元以及第二地址线层；其中，第一地址线层与第二地址线层平行；所述第一地址线层包括多条均沿第一方向延伸的第一地址线；所述第二地址线层包括多条均沿第二方向延伸的第二地址线；所述第一方向与第二方向垂直；所述第一相变存储单元与所述第一地址线和第二地址线均垂直；

所述第一地址线沿第一方向的长度与所述第二地址线沿第二方向的长度基本相同，且所述第一地址线的电阻与所述第二地址线的电阻基本相同。

上述方案中，所述第一地址线包括层叠设置的第一子地址线和第二子地址线，所述第一子地址线和所述第二子地址线的材料相同或不同；

和/或，

所述第二地址线包括层叠设置的第三子地址线和第四子地址线，所述第三子地址线和所述第四子地址线的材料相同或不同。

上述方案中，所述三维存储器还包括外围电路的功能器件；

所述功能器件包括与所述第一地址线连接的第一功能器件及与所述第二地址线连接的第二功能器件；

所述第一功能器件设置在第一区域和第二区域上；所述第二功能器件设置在第三区域、第四区域、第五区域及第六区域上；所述第一区域与所述第二区域在第二方向的投影存在共同的端点；所述第三区域与所述第四区域在第一方向的投影存在共同的端点，所述第四区域与所述第五区域在第一方向的投影存在共同的端点，所述第五区域与所述第六区域在第一方向的投影存在共同的端点；所述第一区域、第二区域、第三区域、第四区域、第五区域及第六区域在第二方向的投影长度等于第一区域和第二区域在第二方向的投影长度，所述第一区域、第二区域、第三区域、第四区域、第五区域及第六区域在第一方向的投影长度等于第三区域、第四区域、第五区域及第六区域在第一方向的投影长度。

上述方案中，所述多条第一地址线中各第一地址线沿所述第二方向的间距相同；所述多条第二地址线中各第二地址线沿所述第一方向的间距相同。

上述方案中，所述三维存储器还包括：与所述第一地址线接触的第一连接部以及与所述第二地址线接触的第二连接部；其中，所述第一功能器件通过相应的第一连接部分别连接到所述存储单元阵列块中的所有第一地址线上，所述第二功能器件通过相应的第二连接部分别连接到所述存储单元阵列块中的所有第二地址线上；

所述第一连接部与所述第一地址线的几何中心处接触；

和/或，