[发明专利]加工方法、加工装置及非易失性计算机可读存储介质在审
申请号: | 202110378873.6 | 申请日: | 2021-04-08 |
公开(公告)号: | CN115206793A | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 陈鲁;佟异;肖遥;张嵩 | 申请(专利权)人: | 深圳中科飞测科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/68;H01L21/67 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 邵泳城 |
地址: | 518110 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 方法 装置 非易失性 计算机 可读 存储 介质 | ||
1.一种加工方法,其特征在于,包括:
获取机台的操作界面的显示图像,所述显示图像显示至少部分工件及切刀标志线,所述切刀标志线中的中心标识线表征切刀的切割中心线;
识别所述显示图像中的切刀标志线中的中心标识线;
获取所述显示图像中所述工件的切割中心线的位置;及
移动所述显示图像中的所述中心标识线,使所述中心标识线与所述切割中心线重合,以控制所述切刀的切割中心线与所述机台上的所述工件的切割中心线重合。
2.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,所述获取机台的操作界面的显示图像,包括:
对所述机台的操作界面进行截图;及
截取所述截图中的感兴趣区域作为所述显示图像,所述感兴趣区域中具有所述工件及所述切刀标志线,所述切刀标志线贯穿所述感兴趣区域。
3.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,所述识别所述显示图像中的切刀标志线中的中心标识线,包括:
对所述显示图像进行第一二值化处理以得到第一二值化图像;
统计所述第一二值化图像中每一行白色像素点的数量;及
将具有最大数量的白色像素点所在行作为所述中心标识线所在位置。
4.根据权利要求3所述的加工方法,其特征在于,所述中心标识线呈第一颜色,所述对所述显示图像进行第一二值化处理以得到第一二值化图像,包括:
分离所述显示图像中多颜色通道,以获得多帧单颜色图像数据;
对每帧单颜色图像数据进行灰度处理,以获得与每帧单颜色图像数据对应的灰度图像数据;及
根据与第一颜色图像数据对应的灰度图像数据中的灰度值与其他颜色图像数据对应的灰度图像数据中的灰度值,获取每个像素点的新灰度值,以形成所述第一二值化图像。
5.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,所述获取所述显示图像中所述工件的切割中心线的位置,包括:
获取所述显示图像中所述工件的切道和/或切痕的位置;及
将所述切道的中心线位置或所述切痕的中心线位置作为所述显示图像中所述工件的切割中心线的位置。
6.根据权利要求5所述的加工方法,其特征在于,所述获取所述显示图像中所述工件的切道和/或切痕的位置,包括:
对所述显示图像进行第二二值化处理以得到第二二值化图像;
根据所述第二二值化图像中每一行白色像素点的数量及预设阈值,获得二值矩阵,所述二值矩阵包括n*1个元素,其中n为所述第二二值化图像中像素点的行数;
在所述二值矩阵中,若当前行元素值小于下一行元素值,则将当前行作为第一备选行;若当前行元素值大于下一行元素值,则将当前行作为第二备选行;
对每一个所述第一备选行执行第一配对步骤,所述第一配对步骤包括:将选取的第一备选行作为第一待配对行,在多个所述第二备选行中选取位于所述第一待配对行的第一侧的所述第二备选行作为第二待配对的行,并将所述第一待配对的行与对应的每一个所述第二待配对行作为第一待测虚线对;
对每一个所述第二备选行执行第二配对步骤,所述第二配对步骤包括:将选取的第二备选行作为第三待配对行,在多个所述第一备选行中选取位于所述第三待配对行的第一侧的所述第一备选行作为第四待配对的行,并将所述第三待配对的行与对应的每一个所述第四待配对行作为第二待测虚线对;
获取每个所述第一待测虚线对之间的第一中心线,及每个所述第二待测虚线对之间的第二中心线;
计算每个第一中心线与所有所述第二中心线之间的距离差值,选取所述差值最小的第一中心线对应的所述第一待测虚线作为第一虚线对,选取所述差值最小的第二中心线对应的所述第二待测虚线作为第二虚线对;及
将所述第一虚线对的位置及所述第二虚线对的位置中的一个作为所述工件的切道的位置,将另一个作为所述工件的切痕的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造