[发明专利]竖直存储器装置

说明书

一种竖直存储器装置包括栅电极结构、沟道、绝缘图案结构、蚀刻停止结构和贯通件。栅电极结构包括在基本垂直于衬底的上表面的第一方向上在衬底上彼此间隔开的栅电极，所述栅电极中的每一个在基本平行于衬底的上表面的第二方向上延伸。沟道在第一方向上延伸穿过栅电极结构。绝缘图案结构延伸穿过栅电极结构。蚀刻停止结构延伸穿过栅电极结构，并且包围绝缘图案结构的至少一部分侧壁，并且蚀刻停止结构包括填充图案和填充图案的侧壁上的蚀刻停止图案。贯通件在第一方向上延伸穿过绝缘图案结构。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年4月8日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2020-0042762的优先权，该申请的内容以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本发明构思涉及一种竖直存储器装置。

背景技术

在具有外围上单元(COP)结构的VNAND闪速存储器装置中，可以在形成位于栅电极的区处的绝缘图案结构之后形成延伸穿过栅电极以电连接至下电路图案的贯通件，以延伸穿过绝缘图案结构而不电连接至栅电极。

发明内容

示例实施例提供了一种在期望的区形成绝缘图案结构的方法。

示例实施例提供了一种具有改进的特性的竖直存储器装置。

根据本发明构思的一方面，提供了一种竖直存储器装置。竖直存储器装置可以包括栅电极结构、沟道、绝缘图案结构、蚀刻停止结构和贯通件。栅电极结构可以包括在基本垂直于衬底的上表面的第一方向上在衬底上彼此间隔开的栅电极，并且栅电极中的每一个可以在基本平行于衬底的上表面的第二方向上延伸。沟道可以在第一方向上延伸穿过栅电极结构。绝缘图案结构可以延伸穿过栅电极结构。蚀刻停止结构可以延伸穿过栅电极结构并且包围绝缘图案结构的侧壁的至少一部分，并且蚀刻停止结构可以包括填充图案和填充图案的侧壁上的蚀刻停止图案。贯通件可以在第一方向上延伸穿过绝缘图案结构。

根据本发明构思的一方面，提供了一种竖直存储器装置。竖直存储器装置可以包括栅电极结构、沟道、蚀刻停止结构、绝缘图案结构和贯通件。栅电极结构可以包括在基本垂直于衬底的上表面的第一方向上在衬底上彼此间隔开的栅电极，并且栅电极中的每一个可以在基本平行于衬底的上表面的第二方向上延伸。沟道可以在第一方向上延伸穿过栅电极结构。蚀刻停止结构可以在第一方向上延伸穿过栅电极结构，并且蚀刻停止结构可以在平面图中具有闭合的环形，并且包括彼此包含不同材料的多个图案。绝缘图案结构可以由蚀刻停止结构包围。贯通件可以在第一方向上延伸穿过绝缘图案结构。

根据本发明构思的一方面，提供了一种竖直存储器装置。竖直存储器装置可以包括栅电极结构、沟道、绝缘图案结构、蚀刻停止结构、贯通件、第一划分图案、第二划分图案和支承层。栅电极结构可以包括在基本垂直于衬底的上表面的第一方向上在衬底上彼此间隔开的栅电极，并且栅电极中的每一个可以在基本平行于衬底的上表面的第二方向上延伸。沟道可以在第一方向上延伸穿过栅电极结构。绝缘图案结构可以延伸穿过栅电极结构。蚀刻停止结构可以延伸穿过栅电极结构，并且包围绝缘图案结构的侧壁的至少一部分。贯通件可以在第一方向上延伸穿过绝缘图案结构。第一划分图案可以在基本平行于衬底的上表面并且与第二方向交叉的第三方向上形成在栅电极结构的相对两侧中的每一侧处，并且第一划分图案中的每一个可以在第二方向上延伸。第二划分图案可以在第一划分图案之间在第二方向上彼此间隔开，并且第二划分图案中的每一个可以延伸穿过栅电极结构。支承层可以覆盖蚀刻停止结构的上表面，并且接触第一划分图案和第二划分图案中的每一个的上侧壁。第一划分图案中的每一个可以在第三方向上与蚀刻停止结构间隔开，并且第二划分图案中的每一个可以在第二方向上与蚀刻停止结构间隔开。