[发明专利]竖直存储器装置

权利要求书

1.一种竖直存储器装置，包括：

栅电极结构，其包括在实质上垂直于衬底的上表面的第一方向上在所述衬底上彼此间隔开的栅电极，所述栅电极中的每一个在实质上平行于所述衬底的上表面的第二方向上延伸；

沟道，其在所述第一方向上延伸穿过所述栅电极结构；

绝缘图案结构，其延伸穿过所述栅电极结构；

蚀刻停止结构，其延伸穿过所述栅电极结构，并且包围所述绝缘图案结构的侧壁的至少一部分，所述蚀刻停止结构包括填充图案和在所述填充图案的侧壁上的蚀刻停止图案；以及

贯通件，其在所述第一方向上延伸穿过所述绝缘图案结构。

2.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，其中，所述填充图案包括氮化物、多晶硅或者氧化物，并且所述蚀刻停止图案包括氧化物。

3.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，其中，所述蚀刻停止结构还包括所述填充图案与所述蚀刻停止图案之间的间隔件。

4.根据权利要求3所述的竖直存储器装置，其中，所述填充图案包括多晶硅或者氧化物，并且所述间隔件包括氮化物。

5.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，其中，所述蚀刻停止结构在平面图中具有闭合的环形。

6.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，其中，所述蚀刻停止结构包括：

第一部分，其在实质上平行于所述衬底的上表面并且与所述第二方向交叉的第三方向上彼此间隔开，所述第一部分中的每一个在所述第二方向上延伸；以及

第二部分，其在所述第二方向上彼此间隔开，所述第二部分中的每一个在所述第三方向上延伸。

7.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，其中，所述蚀刻停止结构包括在实质上平行于所述衬底的上表面并且与所述第二方向交叉的第三方向上彼此间隔开的两个部分，所述两个部分中的每一个在所述第二方向上延伸。

8.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，其中，所述蚀刻停止结构包括在其中的空隙。

9.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，还包括第一绝缘图案，其位于在所述第一方向上彼此间隔开的栅电极之间。

10.根据权利要求9所述的竖直存储器装置，其中，所述绝缘图案结构包括在所述第一方向上交替和重复地堆叠的第二绝缘图案和第三绝缘图案，并且

其中，所述第二绝缘图案中的每一个包括氮化物，并且所述第三绝缘图案中的每一个包括氧化物。

11.根据权利要求10所述的竖直存储器装置，其中，所述第三绝缘图案分别与所述第一绝缘图案中对应的第一绝缘图案处于相同的水平高度。

12.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，还包括覆盖所述贯通件的侧壁的绝缘图案。

13.一种竖直存储器装置，包括：

栅电极结构，其包括在实质上垂直于衬底的上表面的第一方向上在所述衬底上彼此间隔开的栅电极，所述栅电极中的每一个在实质上平行于所述衬底的上表面的第二方向上延伸；

沟道，其在所述第一方向上延伸穿过所述栅电极结构；

蚀刻停止结构，其在所述第一方向上延伸穿过所述栅电极结构，所述蚀刻停止结构在平面图中具有闭合的环形，并且包括多个图案，所述多个图案包括彼此不同的材料；

绝缘图案结构，其由所述蚀刻停止结构包围；以及

贯通件，其在所述第一方向上延伸穿过所述绝缘图案结构。

14.根据权利要求13所述的竖直存储器装置，其中，所述蚀刻停止结构包括：

第一图案，其在所述第一方向上延伸，并且在平面图中具有闭合的环形，所述第一图案包括氮化物、多晶硅或者氧化物；以及

第二图案，其覆盖所述第一图案的侧壁和底部，所述第二图案包括氧化物。