[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 202110373127.8 | 申请日: | 2021-04-07 |
公开(公告)号: | CN113178463B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 王俊 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 裴磊磊 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
阳极层,包括多个阳极,至少一所述阳极包括基体和位于所述基体上的第一凸起;
位于所述阳极层上的像素定义层,包括多个第一开口,每一所述第一开口暴露对应的所述阳极;
绝缘层,包括多个第一绝缘单元,每一所述第一绝缘单元位于对应的所述第一凸起上;
发光层,包括多个发光单元,每一所述发光单元位于对应的所述阳极的所述基体上并位于对应的所述第一开口内;
所述第一绝缘单元的厚度与所述第一凸起的厚度之和大于或等于所述发光层的厚度,所述第一绝缘单元上没有覆盖所述发光层。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述发光层上的阴极层,所述阴极层的至少一部分位于多个所述第一开口内;
其中,所述发光单元包括分别位于所述第一绝缘单元的相对两侧的两第一部分,两所述第一部分均电性连接于对应的所述阳极和所述阴极层。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘层还包括多个第二绝缘单元,每一所述第二绝缘单元位于对应的所述阳极的所述基体和所述像素定义层之间,每一所述发光层还包括坡部,所述坡部位于所述第二绝缘单元上。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一绝缘单元、所述第二绝缘单元及所述像素定义层的材料均相同。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,两所述第一部分的厚度相同且表面平坦。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述阳极层远离所述像素定义层一侧的阵列基板,所述阵列基板包括多个薄膜晶体管及连接所述薄膜晶体管的走线,所述第一凸起与至少一所述走线对应。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一绝缘单元覆盖所述第一凸起以及向所述第一开口的边缘的方向延伸。
8.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底;
在所述衬底上形成包括多个薄膜晶体管及连接所述薄膜晶体管的走线的阵列基板;
在所述阵列基板上形成平坦层;
在所述平坦层上形成包括多个阳极的阳极层,至少一所述阳极包括基体和位于所述基体上的第一凸起;
在所述阳极层上形成像素定义材料层;
将所述像素定义材料层图案化,形成包括多个第一开口的像素定义层以及多个第一绝缘单元;
在所述第一开口内形成发光层,所述发光层包括多个发光单元,每一所述发光单元位于对应的所述阳极的所述基体上并位于对应的所述第一开口内,所述第一绝缘单元的厚度与所述第一凸起的厚度之和大于或等于所述发光层的厚度,所述第一绝缘单元上没有覆盖所述发光层;
在所述发光层上形成阴极层,所述阴极层的至少一部分位于多个所述第一开口内;
其中,每一所述第一绝缘单元位于对应的所述第一凸起上,至少一所述走线与一所述第一凸起对应,所述发光单元包括分别位于所述第一绝缘单元的相对两侧的两第一部分,两所述第一部分均电性连接于对应的所述阳极和所述阴极层。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述将所述像素定义材料层图案化,形成包括多个第一开口的像素定义层以及多个第一绝缘单元的步骤,包括:
利用一半色调光罩,将所述像素定义材料层图案化,形成包括多个第一开口的像素定义层以及多个第一绝缘单元;
其中,所述像素定义层还包括围绕所述第一开口的第一坝体,所述半色调光罩包括第一透光区、第二透光区以及第三透光区,所述第一透光区对应所述第一开口,所述第二透光区对应所述第一绝缘单元,所述第三透光区对应所述像素定义层的第一坝体。
10.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述将所述像素定义材料层图案化,形成包括多个第一开口的像素定义层以及多个第一绝缘单元的步骤,包括:
利用第一光罩及第二光罩,将所述像素定义材料层图案化,分别对应形成多个第一绝缘单元及包括多个第一开口的像素定义层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的