[发明专利]一种倒装LED芯片及其制备方法

说明书

本发明公开了一种倒装LED芯片及其制备方法，属于芯片技术领域。本发明提出的倒装LED芯片，包括ITO层，ITO层的一侧具有粗糙表面；复合反射层，复合反射层包括沿粗糙表面依次叠加的银镜层、二氧化硅层和DBR层。本发明中，由于ITO层的粗糙表面，增加了ITO层与银镜层之间的粘结强度，因此可省略传统倒装LED芯片中，ITO层与银镜层之间的金属粘结层，节约了成本，提升了亮度；二氧化硅层，兼具绝缘层和银镜层的保护层的作用，因此可省略传统倒装LED芯片中，金属保护层的设置，节约了成本，增加了良率。

技术领域

本发明属于芯片技术领域，具体涉及一种倒装LED芯片及其制备方法。

背景技术

正装LED芯片会出现电极挤占发光面积从而影响发光效率的问题，因此芯片研发人员设计了倒装结构，即把正装芯片倒置，使发光层激发出的光直接从电极的另一面发出(衬底最终被剥去，芯片材料是透明的)，该结构在大功率芯片较多用到。

倒装LED芯片具有以下显著优点，一是可通大电流使用；二是尺寸可以做到更小，光学更容易匹配；三是散热功能的提升，使芯片的寿命得到了提升；四是抗静电能力的提升；五是为后续封装工艺发展打下基础。

目前的倒装LED芯片主要分两种工艺方向，一种以DBR作为反射层，一种以银镜作为反射层。但这两种反射层的倒装LED芯片都有各自的缺点：DBR反射层膜质比较脆，在切割崩裂时容易出现裂纹，进而影响可靠性，同时DBR反射层的亮度较银镜反射层低；银镜反射层，膜质比较容易氧化，因此必须添加金属保护层以防止银镜反射层的氧化；此外，银镜层跟ITO层的粘附性不好，因此需要在两者之间加上Ni金属层作为过渡层，而Ni本身有吸光的效果，这降低了银镜的反射率，进而导致了亮度的下降。

发明内容

本发明旨在至少解决上述现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种倒装LED芯片，通过调整芯片结构和制备工艺，在同时设置DBR反射层和银镜层的基础上，省略了银镜层的金属保护层，以及银镜层与ITO层之间的金属粘结层，因此提高了所述倒装LED芯片的亮度，同时简化工艺、节约成本。

本发明还提出一种上述倒装LED芯片的制备方法。

根据本发明的一个方面，提出了一种倒装LED芯片，包括，

ITO层，所述ITO层的一侧具有粗糙表面；

复合反射层，所述复合反射层设于所述粗糙表面上，所述复合反射层包括沿所述粗糙表面依次叠加的银镜层、二氧化硅层和DBR层。

根据本发明的一种优选的实施方式，至少具有以下有益效果：

（1）本发明中，由于ITO层的粗糙表面，增加了ITO层与银镜层之间的粘结强度，因此可省略传统倒装LED芯片中，ITO层与银镜层之间的金属粘结层，节约了成本。

（2）由于传统倒装LED芯片中，金属粘结层本身具有一定的吸光性，本发明省略了金属粘结层，进一步提升了倒装LED芯片的亮度。

（3）本发明中，二氧化硅层，兼具绝缘层和银镜层的金属保护层的作用，因此可省略传统倒装LED芯片中的金属保护层，节约了成本。

（4）本发明中，二氧化硅层还具有绝缘作用，避免了倒装LED芯片切割过程中，因DBR层崩裂而出现的漏电现象，增加了产品的良率。

（5）传统银镜层的保护层为TiW层，该材质进行高温合金反应后容易因应力不均而出现裂纹，本申请省略了金属保护层，因此提升了成品率。

（6）本发明提供的复合反射层，将银镜层与DBR层复合使用，两者发生协同作用，提升了倒装LED芯片的亮度。

在本发明的一些实施方式中，所述ITO层厚度为30nm~45nm。

在本发明的一些实施方式中，所述银镜层厚度为150nm~200nm。