[发明专利]一种倒装LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种倒装LED芯片，其特征在于，由以下部件组成，

ITO层，所述ITO层的一侧具有粗糙表面；

复合反射层，所述复合反射层设于所述粗糙表面上，所述复合反射层包括沿所述粗糙表面依次叠加的银镜层、二氧化硅层和DBR层；

所述倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1.在衬底上依次设置N型GaN层、发光量子阱、P型GaN层和所述ITO层；

S2.自所述ITO层开始，刻蚀步骤S1所得部件的局部区域直至露出所述N型GaN层，形成N-GaN台面；

S3.腐蚀所述ITO层，形成所述粗糙表面；

S4.刻蚀步骤S3所得部件边缘位置直至所述衬底，形成刻槽；

S5.在所述N-GaN台面表面设置金属绑定层；

S6.在步骤S5所得部件，所述粗糙表面上设置所述银镜层；

S7.在步骤S6所得部件远离所述衬底一侧，依次设置全覆盖的所述二氧化硅层和DBR层；

S8.垂直所述DBR层，自所述DBR层开始刻蚀步骤S7所得部件，至所述金属绑定层，形成N导电孔，至所述银镜层，形成P导电孔；

S9.自所述N导电孔开始设置负电极，自所述P导电孔开始设置正电极，即得所述倒装LED芯片；

步骤S6和S7之间的等待时间≤3h。

2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述ITO层厚度为30nm~45nm。

3.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述银镜层厚度为150nm~200nm。

4.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述二氧化硅层厚度为250nm~400nm。

5.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述DBR层厚度为2500nm~3000nm。

6.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，步骤S3中，所述粗糙表面，设置方法为以酸的水溶液进行腐蚀。

7.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，步骤S7中，所述二氧化硅层的设置方法为等离子体增强的化学气相沉积法。

8.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，步骤S9中，所述正电极和所述负电极的材质为AuSn合金。