[发明专利]一种显示装置及其制备方法有效
| 申请号： | 202110356929.8 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113192972B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 张宇 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 显示装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
背板；
缓冲层，设置于所述背板的一侧的表面上；以及
金属网格层，设置于所述缓冲层远离所述背板的一侧的表面上；
其中，所述缓冲层的材质为气凝胶；
所述缓冲层的材质包括氮化硼气凝胶、硅系气凝胶及碳系气凝胶中的一种；
所述氮化硼气凝胶的密度的范围为3kg/m3-5kg/m3。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述氮化硼气凝胶的热导率的范围为5W/(m·K)-8W/(m·K)。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述氮化硼气凝胶的压缩率的范围为80％-90％。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述缓冲层的厚度的范围为2μm-100μm。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述背板在所述缓冲层表面的投影位于所述缓冲层的覆盖范围内。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括胶层，粘接于所述缓冲层与所述背板之间，还粘接于所述缓冲层与所述金属网格层之间。
7.一种显示装置的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一背板；
在所述背板的一侧的表面上设置缓冲层；以及
在所述缓冲层远离所述背板的一侧的表面上设置金属网格层；
其中，所述缓冲层的材质为气凝胶；
所述缓冲层的材质包括氮化硼气凝胶、硅系气凝胶及碳系气凝胶中的一种；
所述氮化硼气凝胶的密度的范围为3kg/m3-5kg/m3。
8.根据权利要求7所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述氮化硼气凝胶通过冷冻干燥工艺、化学气相沉积工艺及复合交联工艺中的一种制备形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
