[发明专利]半导体光刻胶组合物和使用所述组合物形成图案的方法

权利要求书

1.一种半导体光刻胶组合物，包括：

由化学式1表示的有机金属化合物、光酸产生剂以及溶剂：

[化学式1]

其中，在化学式1中，

R为经取代或未经取代的C1到C20烷基、经取代或未经取代的C3到C20环烷基、包含至少一个双键或三键的经取代或未经取代的C2到C20脂肪族不饱和有机基团、经取代或未经取代的C6到C30芳基、乙氧基、丙氧基或其组合，

X、Y以及Z独立地为-OR¹或-OC(＝O)R²，

R¹为经取代或未经取代的C1到C20烷基、经取代或未经取代的C3到C20环烷基、经取代或未经取代的C2到C20烯基、经取代或未经取代的C2到C20炔基、经取代或未经取代的C6到C30芳基或其组合，且

R²为氢、经取代或未经取代的C1到C20烷基、经取代或未经取代的C3到C20环烷基、经取代或未经取代的C2到C20烯基、经取代或未经取代的C2到C20炔基、经取代或未经取代的C6到C30芳基或其组合。

2.根据权利要求1所述的半导体光刻胶组合物，其中所述光酸产生剂包括由化学式2、化学式3或化学式4表示的阳离子化合物：

[化学式2]

[化学式3]

[化学式4]

其中，在化学式2到化学式4中，

M¹为氟、氯、溴或碘，

M²为氧、硫、硒或碲，

M³为氮、磷、砷或锑，且

R³到R¹¹独立地为经取代或未经取代的C1到C20烷基、经取代或未经取代的C3到C20环烷基、包含至少一个双键或三键的经取代或未经取代的C2到C20脂肪族不饱和有机基团、经取代或未经取代的C6到C30芳基或其组合。

3.根据权利要求1所述的半导体光刻胶组合物，其中所述光酸产生剂包括由化学式5或化学式6表示的阳离子化合物：

[化学式5]

[化学式6]

其中，在化学式5和化学式6中，

R³到R⁷独立地为经取代或未经取代的C1到C20烷基、经取代或未经取代的C3到C20环烷基、包含至少一个双键或三键的经取代或未经取代的C2到C20脂肪族不饱和有机基团、经取代或未经取代的C6到C30芳基或其组合。

4.根据权利要求1所述的半导体光刻胶组合物，其中包含呈99:1到60:40的重量比的由化学式1表示的所述有机金属化合物和所述光酸产生剂。

5.根据权利要求1所述的半导体光刻胶组合物，其中包含呈95:5到85:15的重量比的由化学式1表示的所述有机金属化合物和所述光酸产生剂。