[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202110346479.4 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113555440A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 游力蓁;张家豪;黄麟淯;庄正吉;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，包括：
一半导体纳米结构，位于一背侧绝缘基质层的前侧表面上，并包括：
至少一半导体通道板；
一栅极结构；以及
一第一主动区与一第二主动区，位于该至少一半导体通道板的末端部分，并包括一源极区与一漏极区；
一外延半导体材料部分，与该半导体纳米结构横向分开并位于该背侧绝缘基质层上；
一层状物堆叠，由下至上包括一平坦化介电层与一通孔层介电层，并位于该半导体纳米结构与该外延半导体材料部分上；
一背侧金属内连线结构，位于该背侧绝缘基质层的下表面上；
一导电路径，连接该第一主动区与该背侧金属内连线结构并包含一连接物通孔结构，且该连接物通孔结构的上表面低于含有一介电栅极间隔物的上表面的水平平面并高于含有该第一主动区的上表面的水平平面；以及
一金属硅化物部分，接触该连接物通孔结构的侧壁与该外延半导体材料部分的侧壁。
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