[发明专利]半导体组件及其切割方法、滤波器及电子设备

说明书

本发明涉及一种半导体组件的切割方法，包括：步骤1：提供第一基底、第二基底、密封层和MEMS器件，密封层设置在第一基底的下侧与第二基底的上侧之间，第一基底、第二基底以及密封层限定或围合容纳空间，MEMS器件设置在对应的容纳空间内，其中：密封层包括设置在第一基底的第一密封层与设置在第二基底的第二密封层，第一密封层适于与第二密封层密封连接；步骤2：移除第一基底的周边区域的预定部分以露出与所述预定部分对应的第二密封层；步骤3：以在所述预定部分对应的所述第二密封层为对准标记执行切割。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体组件、一种半导体组件的切割方法，一种具有该半导体组件的滤波器，以及一种具有该滤波器的电子设备。

背景技术

电子器件作为电子设备的基本元素，已经被广泛应用，其应用范围包括移动电话、汽车、家电设备等。此外，未来即将改变世界的人工智能、物联网、5G通讯等技术仍然需要依靠电子器件作为基础。

电子器件根据不同工作原理可以发挥不同的特性与优势，在所有电子器件中，利用压电效应(或逆压电效应)工作的器件是其中很重要一类，压电器件有着非常广泛的应用情景。薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，简称FBAR，又称为体声波谐振器，也称BAW)作为压电器件的重要成员正在通信领域发挥着重要作用，特别是FBAR滤波器在射频滤波器领域市场占有份额越来越大，FBAR具有尺寸小、谐振频率高、品质因数高、功率容量大、滚降效应好等优良特性，其滤波器正在逐步取代传统的声表面波(SAW)滤波器和陶瓷滤波器，在无线通信射频领域发挥巨大作用，其高灵敏度的优势也能应用到生物、物理、医学等传感领域。

对于薄膜体声波谐振器等MEMS器件，其通常设置在两个基底之间，两个基底通过密封键合层键合，一个基底可以为设置MEMS器件的功能基底，另一个基底可以为封装基底，不过也可以设置MEMS器件。对于分离的MEMS器件及其封装结构，可以将其称为一颗die。

在MEMS器件的制作过程中，两片晶圆彼此对置，晶圆之间利用密封键合层键合连接，两片晶圆之间基于密封键合层的分隔，从而在两片晶圆之间形成很多颗die。

图1为现有技术中在两颗die之间划片从而将两颗die切割分离的结构示意图。图1中，201和202为晶圆或基底，101为划片用对准标记，b为对准标记101之间的水平距离，102为下密封结构或下密封键合层，104为导电通孔，105为焊盘，109为上密封结构或上密封键合层，键合层109与键合层102彼此键合而形成密封结构。如图1所示，键合层102之间在水平方向上的距离为a。

由于两片晶圆键合时存在偏移，对准标记101无法做到与密封结构完全对齐。为了确保划片时不伤及密封结构，下密封圈或下密封键合层102之间的距离a要大于划片标记101之间的距离b，通常a与b的差距在20um左右。

因为划片属于物理切割，划片刀的轨迹也无法保障没有偏差，所以划片标记间的距离b要大于划片刀的厚度(或者激光的宽度)，通常要大20um左右。

因此，在采用图1所示的切割方案时，需要设置冗余宽度，这会浪费晶圆的面积。

图2为现有技术中采用刻蚀方法来执行两颗die之间的切割的结构示意图。如图2所示，如果通过刻蚀的方法刻出分隔通道106，则可以在保证精度的情况下将下密封结构102之间的距离a大幅度缩小，但是如果在焊盘形成工艺之前就将die分隔，这导致后续电镀无法进行，或者在磨片减薄工艺进行时因单颗die可承受外力不足而导致键合失效。

因此，现有技术中存在改进die之间的切割方法的需要。

发明内容

为了克服现有技术中的问题的至少一个方面，提出本发明。

根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种半导体组件，包括：

第一基底和第二基底；