[发明专利]半导体组件及其切割方法、滤波器及电子设备

权利要求书

1.一种半导体组件，包括：

第一基底和第二基底；

密封层，设置在第一基底的下侧与第二基底的上侧之间；

至少一个MEMS器件，

其中：

第一基底、第二基底以及密封层限定或围合至少一个容纳空间，所述MEMS器件设置在对应的容纳空间内；

所述第一基底的上侧并未设置划片用对准标记。

2.根据权利要求1所述的组件，其中：

所述组件包括穿过所述第一基底的导电通孔；

所述第一基底的上侧设置有导电焊盘，所述导电焊盘与所述导电通孔相连通；

在所述第一基底的上侧，在所述导电焊盘的外边缘与所述第一基底的端面之间并未设置所述对准标记。

3.根据权利要求2所述的组件，其中：

所述密封层为金属键合层，所述导电通孔与所述键合层在第一基底的厚度方向上对齐且电连接。

4.根据权利要求2所述的组件，其中：

在所述第一基底的上侧，在所述导电焊盘的外边缘与所述第一基底的端面之间并未设置与所述导电焊盘同层布置且间隔开的划片对准标记。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的组件，其中：

所述第一基底的端面不具有基于刻蚀形成的纹路。

6.一种半导体组件的切割方法，包括：

步骤1：提供第一基底、第二基底、密封层和MEMS器件，密封层设置在第一基底的下侧与第二基底的上侧之间，第一基底、第二基底以及密封层限定或围合容纳空间，MEMS器件设置在对应的容纳空间内，其中：密封层包括设置在第一基底的第一密封层与设置在第二基底的第二密封层，第一密封层适于与第二密封层密封连接；

步骤2：移除第一基底的周边区域的预定部分以露出与所述预定部分对应的第二密封层；

步骤3：以在所述预定部分对应的所述第二密封层为对准标记执行切割。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

移除第一基底的周边区域的预定部分包括移除所述第一基底的外边缘所在部分。

8.根据权利要求7所述的方法，其中：

以在与第一基底的厚度方向平行的方向上切割或刻蚀所述第一基底而移除所述预定部分。

9.根据权利要求8所述的方法，其中：

在步骤1中，在与所述预定部分对应的区域，在所述第一基底的下侧不设置第一密封层。

10.根据权利要求7所述的方法，其中：

在步骤1中，第一基底的下侧在所述预定部分为凹陷部分，所述第一基底在所述凹陷部分对应的部分具有第一厚度；

在步骤2中，从第一基底的上侧移除预定厚度的基底材料而露出与所述预定部分对应的第二密封层，所述预定厚度不小于第一厚度。

11.根据权利要求6所述的方法，其中：

第一基底的周边区域的预定部分与所述第一基底的外边缘在水平方向上间隔开一个距离。

12.根据权利要求11所述的方法，其中：

所述一个距离不大于3mm。

13.根据权利要求6所述的方法，其中：

所述预定部分的宽度在1mm-10mm的范围内。

14.根据权利要求13所述的方法，其中：

所述预定部分的宽度在1mm-3.5mm的范围内。

15.一种滤波器，包括根据权利要求1-5中任一项所述的半导体组件，其中所述MEMS器件包括谐振器。

16.一种电子设备，包括根据权利要求15所述的滤波器或者根据权利要求1-5中任一项所述的半导体组件。