[发明专利]研磨方法及半导体基板的制造方法在审
| 申请号： | 202110305597.0 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113493651A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 吉崎幸信;枪田哲;井川裕文 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨 方法 半导体 制造 | ||
1.一种研磨方法，其包括如下工序：使用研磨用组合物对包含硅锗的研磨对象物进行研磨，
所述研磨用组合物包含磨粒、无机盐、及具有酸基的研磨促进剂，且pH为8以上。
2.根据权利要求1所述的研磨方法，其中，所述研磨促进剂为选自由N-(2-羟乙基)乙二胺-N,N’,N’-三乙酸、N,N,N’,N’-乙二胺四(亚甲基膦酸)、2-膦酸基丁烷-1,2,4-三羧酸、N,N-二(2-羟乙基)甘氨酸、天冬氨酸、及(S,S)-乙二胺-N,N’-二琥珀酸组成的组中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的研磨方法，其中，所述研磨促进剂为N,N,N’,N’-乙二胺四(亚甲基膦酸)。
4.根据权利要求1所述的研磨方法，其中，所述无机盐为选自由硝酸铵、硫酸铵、硫酸氢铵、磷酸三铵、磷酸氢二铵、及磷酸二氢铵组成的组中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的研磨方法，其中，所述无机盐为硫酸铵。
6.根据权利要求1所述的研磨方法，其中，所述硅锗的研磨速度为分钟以上。
7.根据权利要求1所述的研磨方法，其中，所述硅锗的蚀刻量为以下。
8.根据权利要求1所述的研磨方法，其中，所述研磨对象物还包含氮化硅。
9.根据权利要求8所述的研磨方法，其中，所述硅锗的研磨速度相对于所述氮化硅的研磨速度的比为15以上。
10.根据权利要求1所述的研磨方法，其中，所述研磨对象物还包含氧化硅。
11.根据权利要求10所述的研磨方法，其中，所述硅锗的研磨速度相对于所述氧化硅的研磨速度的比为12以上。
12.一种半导体基板的制造方法，其具有通过权利要求1所述的研磨方法对半导体基板进行研磨的工序。
13.一种研磨用组合物，其是用于对包含硅锗的研磨对象物进行研磨而使用的研磨用组合物，
所述研磨用组合物包含磨粒、无机盐、及具有酸基的研磨促进剂，且pH为8以上。
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