[发明专利]存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

第一层，设置在衬底上，其中，所述第一层包括：

第一层堆叠件；

第一栅电极，穿过所述第一层堆叠件；

第一沟道层，设置在所述第一层堆叠件和所述第一栅电极之间；以及

第一铁电层，设置在所述第一沟道层和所述第一栅电极之间；以及

第二层，设置在所述第一层上，其中，所述第二层包括：

第二层堆叠件；

第二栅电极，穿过所述第二层堆叠件；

第二沟道层，设置在所述第二层堆叠件和所述第二栅电极之间；以及

第二铁电层，设置在所述第二沟道层和所述第二栅电极之间。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一层堆叠件包括：

第一介电层；

第一导电层，设置在所述第一介电层上；

第二介电层，设置在所述第一导电层上；以及

第二导电层，设置在所述第二介电层上，其中，所述第一沟道层与所述第一介电层、所述第一导电层、所述第二介电层和所述第二导电层接触。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述第一介电层和所述第一导电层具有第一宽度，所述第二介电层和所述第二导电层具有第二宽度，并且所述第二宽度小于所述第一宽度。

4.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述第二层堆叠件包括：

第三导电层，设置在所述第二导电层上方；

第三介电层，设置在所述第三导电层上；

第四导电层，设置在所述第三介电层上；以及

第四介电层，设置在所述第四导电层上，其中，所述第二沟道层与所述第三导电层、所述第三介电层、所述第四导电层和所述第四介电层接触。

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述第三导电层和所述第三介电层具有第三宽度，所述第四导电层和所述第四介电层具有第四宽度，并且所述第四宽度大于所述第三宽度。

6.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述第一导电层和所述第四导电层连接到第一连接件，并且所述第二导电层和所述第三导电层连接到不同于所述第一连接件的第二连接件。

7.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极连接到第三连接件。

8.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述第二层堆叠件包括：

第三介电层，设置在所述第二导电层上方；

第三导电层，设置在所述第三介电层上；

第四介电层，设置在所述第三导电层上；以及

第四导电层，设置在所述第四介电层上，其中，所述第二沟道层与所述第三介电层、所述第三导电层、所述第四介电层和所述第四导电层接触。

9.一种形成存储器件的方法，包括：

在衬底上形成第一层堆叠件，其中，所述第一层堆叠件包括依次堆叠的第一介电层、第一导电层、第二介电层和第二导电层；

在所述第一层堆叠件中形成第一开口以穿过所述第一层堆叠件；

在所述第一开口中形成第一栅极结构；

去除所述第二导电层的部分和所述第二介电层的部分，以暴露所述第一导电层的部分，从而形成阶梯形区域；

在所述第一层堆叠件上形成第二层堆叠件，其中，所述第二层堆叠件包括依次堆叠的第三导电层、第三介电层、第四导电层和第四介电层；

在所述第一层堆叠件和所述第二层堆叠件之间的所述阶梯形区域中分别形成第一电路径和第二电路径，其中，所述第一电路径电连接到所述第一导电层和所述第四导电层，并且所述第二电路径电连接到所述第二导电层和所述第三导电层；

在所述第二层堆叠件中形成第二开口以穿过所述第二层堆叠件；以及

在所述第二层堆叠件中形成第二栅极结构，其中，所述第二栅极结构和所述第一栅极结构彼此电独立。

10.一种存储器件，包括：

层堆叠件，设置在衬底上，其中，所述层堆叠件包括依次堆叠的第一介电层、第一源极/漏极(S/D)层、第二介电层和第二源极/漏极层；

第一导电柱，穿过所述层堆叠件；

第一铁电层，包裹所述第一导电柱；以及

第一沟道层，设置在所述层堆叠件和所述第一铁电层之间，其中，所述第一铁电层与所述第一沟道层和所述第一导电柱接触。