[发明专利]一种内嵌高导热材料的铝硅壳体及其制备方法

权利要求书

1.一种内嵌高导热材料的铝硅壳体，包括铝硅壳体(1)，其特征在于，所述铝硅壳体(1)一端镶嵌有内嵌部(2)，所述铝硅壳体(1)一侧开设有安装通孔(8)，所述内嵌部(2)固定连接于所述安装通孔(8)内，所述内嵌部(2)为高导热材料。

2.根据权利要求1所述的一种内嵌高导热材料的铝硅壳体，其特征在于，所述铝硅壳体(1)包括壳体围框(7)以及固定连接于所述壳体围框(7)一端铝硅盖板(4)，所述安装通孔(8)位于所述壳体围框(7)上远离所述铝硅盖板(4)的一端。

3.根据权利要求1所述的一种内嵌高导热材料的铝硅壳体，其特征在于，所述铝硅壳体(1)在安装通孔(8)内壁处开设有台阶(6)，所述内嵌部(2)与所述安装通孔(8)连接处设有与所述台阶(6)配合的阶梯。

4.根据权利要求3所述的一种内嵌高导热材料的铝硅壳体，其特征在于，所述台阶(6)上设有连接部(3)，所述连接部(3)为预成型焊片，所述连接部(3)的厚度为30-100μm，所述预成型焊片为低温共晶钎料，所述预成型焊片的熔点小于所述内嵌部(2)的熔点。

5.根据权利要求1所述的一种内嵌高导热材料的铝硅壳体，其特征在于，所述内嵌部(2)为圆形或矩形，所述内嵌部(2)上端设有用于安装芯片(5)的贴装区，所述贴装区在所述内嵌部(2)所在平面上的投影不超出所述内嵌部(2)的边缘，所述内嵌部(2)与所述芯片(5)的膨胀系数差异不大于20％。

6.根据权利要求1所述的一种内嵌高导热材料的铝硅壳体及其制备方法，其特征在于，所述内嵌部(2)为钼铜或铜钼铜或金刚石铜材质，所述内嵌部(2)上端设有金属氧化层，所述金属氧化层为镍金镀层，镍层厚度3-6μm，金层厚度0.6-1μm。

7.用于权利要求1-6任意一项的一种内嵌高导热材料的铝硅壳体制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、根据所要封装的芯片(5)选择合适的材质的内嵌部(2)；

S2、在壳体围框(7)下端开设安装通孔(8)；

S3、将内嵌部(2)固定连接于所述安装通孔(8)内；

S4、将芯片(5)贴装桩内嵌部(2)上；

S5、将铝硅盖板(4)封装到壳体围框(7)上端，形成封闭结构的铝硅壳体(1)。

8.根据权利要求1所述的一种内嵌高导热材料的铝硅壳体制备方法，其特征在于，所述内嵌部(2)为钼铜或铜钼铜或金刚石铜材料，通过调整钼铜或铜钼铜或金刚石铜材料的成分配比，使得钼铜或铜钼铜或金刚石铜材质的内嵌部(2)的热膨胀系数与芯片适配，使得所述内嵌部(2)与所述芯片(5)的膨胀系数差异不大于20％。

9.根据权利要求1所述的一种内嵌高导热材料的铝硅壳体制备方法，其特征在于，所述铝硅壳体(1)为铝硅复合材料，铝硅壳体(1)中壳体围框(7)中的硅含量为50％，铝硅壳体(1)中铝硅盖板(4)中的硅含量27％，铝硅盖板(4)与所述壳体围框(7)通过激光焊接连接，形成气密性腔体。

10.根据权利要求1所述的一种内嵌高导热材料的铝硅壳体制备方法，其特征在于，所述壳体围框(7)下部加工台阶结构的安装通孔(8)，安装通孔(8)为圆形或矩形结构，将内嵌部加工成相应的形状，在安装通孔(8)与内嵌部(2)的搭接区域放置连接部(3)，连接部(3)为预成型的焊片，所述预成型焊片为低温共晶钎料，所述预成型焊片的熔点小于所述内嵌部(2)的熔点，钎料熔点温度不超过450℃。