[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

方法包括形成第一介电层；形成包括延伸至第一介电层中的第一通孔的第一再分布线，以及位于第一介电层上方的第一迹线；形成覆盖第一再分布线的第二介电层；以及图案化第二介电层以形成通孔开口。第一再分布线通过通孔开口露出。方法还包括在第二介电层中形成第二通孔，并且在第二通孔上方形成接触第二通孔的导电焊盘；以及在导电焊盘上方形成导电凸块。导电焊盘大于导电凸块，并且导电焊盘的第一中心从导电凸块的第二中心偏离。第二通孔从导电凸块的第二中心偏离更远。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，半导体芯片/管芯变得越来越小。同时，需要将更多功能集成至半导体管芯中。因此，半导体管芯需要将越来越大数量的I/O焊盘封装至较小的区域中，并且I/O焊盘的密度随着时间的推移而迅速增加。因此，半导体管芯的封装变得更加困难，这不利地影响了封装件的良率。

典型的接合结构可以包括作为金属焊盘的凸块下金属(UBM)和UBM上的金属柱。焊料区域可以用于将金属柱接合至另一封装组件的另一电连接件。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：形成第一介电层；形成第一再分布线，所述第一再分布线包括延伸至所述第一介电层中的第一通孔和位于所述第一介电层上方的第一迹线；形成覆盖所述第一再分布线的第二介电层；图案化所述第二介电层以形成通孔开口，其中，所述第一再分布线通过所述通孔开口露出；在所述第二介电层中形成第二通孔，并且在所述第二通孔上方形成接触所述第二通孔的导电焊盘；以及在所述导电焊盘上方形成导电凸块，其中，所述导电焊盘大于所述导电凸块，并且所述导电焊盘的第一中心从所述导电凸块的第二中心偏离，并且其中，所述第二通孔从所述导电凸块的第二中心偏离更远。

本申请的另一些实施例提供了一种半导体结构，包括：第一介电层；第一通孔，延伸至所述第一介电层中；导电迹线，位于所述第一介电层上方，其中，所述导电迹线位于所述第一通孔上方并结合至所述第一通孔；第二介电层，覆盖所述导电迹线；第二通孔，位于所述第二介电层中；导电焊盘，位于所述第二通孔上方并接触所述第二通孔；其中，所述导电焊盘具有第一中心；以及导电凸块，位于所述导电焊盘上方并接触所述导电焊盘，其中，所述导电凸块具有第二中心，并且其中，所述第二通孔和所述导电凸块的所述第二中心位于所述导电焊盘的所述第一中心的相对侧上。

本申请的又一些实施例提供了一种半导体结构，包括：多个介电层；多个再分布线，位于所述多个介电层中，其中，所述多个再分布线的每个包括通孔和位于所述通孔上方并接触所述通孔的迹线，并且将所述多个再分布线中的一些通孔堆叠以形成通孔堆叠件，其中，所述通孔垂直对准；顶部通孔，位于所述多个再分布线的顶部再分布线中的顶部迹线上方并接触所述顶部迹线；导电焊盘，位于所述顶部通孔上方并接触所述顶部通孔；以及导电凸块，位于所述导电焊盘上方并结合至所述导电焊盘，其中，所述导电凸块和所述顶部通孔是偏心的，并且其中，所述导电焊盘包括：第一部分，延伸超过所述导电凸块的第一边缘至第一距离，以及第二部分，延伸超过所述导电凸块的第二边缘至小于所述第一距离的第二距离，其中，所述第一部分比所述第二部分窄。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图12示出了根据一些实施例的形成包括偏心接合结构的互连组件的中间阶段的截面图。

图13示出了根据一些实施例的包括偏心接合结构的封装件。

图14示出了根据一些实施例的偏心接合结构的截面图。

图15示出了根据一些实施例的偏心接合结构的顶视图。

图16示出了根据一些实施例的具有较窄的中间部分的再分布线的顶视图。