[发明专利]边缘对准方法在审
申请号: | 202110279312.0 | 申请日: | 2021-03-16 |
公开(公告)号: | CN113496917A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 小松淳;牧野香一 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 边缘 对准 方法 | ||
1.一种圆盘状的被加工物的边缘对准方法,其特征在于,
该边缘对准方法具有如下的步骤:
保持步骤,利用卡盘工作台对该被加工物进行保持;
坐标计算步骤,在该被加工物的周向上,在该被加工物的外周部的不同的多个部位中的各个部位处计算有可能与该被加工物的边缘对应的一个点的坐标;
近似圆生成步骤,对在该坐标计算步骤中计算的所有坐标使用最小二乘法,从而生成近似圆;
误检测位置排除步骤,计算通过该近似圆生成步骤而生成的该近似圆与该所有坐标中的各个坐标之间的偏移量,在存在偏移量为预先设定的阈值以上的坐标的情况下,将偏移量最大的坐标判定为误检测位置,并将判定为误检测位置的坐标从考虑对象中排除;以及
加工区域推断步骤,在该误检测位置排除步骤之后,根据未被排除而剩余的3个以上的坐标来推定该被加工物的边缘的位置,并根据所推定的边缘的位置而推断该被加工物的外周部的加工区域。
2.根据权利要求1所述的边缘对准方法,其特征在于,
该边缘对准方法还具有如下的追加近似圆生成步骤:在通过该误检测位置排除步骤排除了偏移量最大的坐标之后,对在该误检测位置排除步骤中未从考虑对象中排除而剩余的所有坐标使用最小二乘法,从而再次生成近似圆。
3.根据权利要求2所述的边缘对准方法,其特征在于,
该边缘对准方法还具有如下的追加误检测位置排除步骤:计算通过该追加近似圆生成步骤而生成的近似圆与在该误检测位置排除步骤中未从考虑对象排除而剩余的所有坐标中的各个坐标之间的偏移量,在存在偏移量为预先设定的阈值以上的坐标的情况下,将偏移量最大的坐标判定为误检测位置,并将判定为误检测位置的坐标从考虑对象中排除,
计算通过该追加近似圆生成步骤而生成的近似圆与在该误检测位置排除步骤中未从考虑对象排除而剩余的所有坐标中的各个坐标之间的偏移量,在不存在偏移量为预先设定的阈值以上的坐标的情况下,进行该加工区域推断步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造