[发明专利]一种二极管成型用引线框架及二极管及二极管的制造方法在审
申请号: | 202110267925.2 | 申请日: | 2021-03-12 |
公开(公告)号: | CN113035821A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 孙丽 | 申请(专利权)人: | 众联慧合(天津)电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L29/861;H01L21/48;H01L21/60;H01L21/329 |
代理公司: | 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 | 代理人: | 李晶 |
地址: | 300384 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二极管 成型 引线 框架 制造 方法 | ||
1.一种二极管成型用引线框架,包括型材,其特征在于:在所述的型材上间隔均布有若干个二极管框架单元,在各所述的二极管框架单元内均设置有一个或两个二极管成型本体,各所述的二极管成型本体均由第一引脚、第二引脚、芯片支撑片及引线极片构成,在所述二极管框架单元的框架内左右两侧均相对设置有与型材一体的第一引脚及第二引脚,在第一引脚的下侧靠右的位置一体成型有L型的引线极片,该L型引线极片由与第一引脚垂直设置的连接片部以及在连接片部根部垂直设置的引线极片部构成,所述的第一引脚、连接片部及引线极片部均在同一水平面上;在所述第二引脚的左端一体成型有与其在同一水平面上的芯片支撑片。
2.根据权利要求1所述的一种二极管成型用引线框架,其特征在于:所述引线极片的厚度小于第一引脚的厚度。
3.根据权利要求1所述的一种二极管成型用引线框架,其特征在于:在所述第一引脚及第二引脚相对一侧的端面底部均设有抓胶缺口,该抓胶缺口所成的角为尖角结构。
4.一种二极管,由二极管本体及封装在二极管本体外部的封装体构成,所述的二极管本体包括二极管芯片、第一引脚、第二引脚及芯片支撑片,所述的第一引脚与第二引脚左右相对设置,在第二引脚的左端成型有芯片支撑片,在芯片支撑片上设置有二级管芯片,其特征在于:在所述的第一引脚上一体成型有引线极片,该引线极片由与第一引脚垂直设置的连接片部以及在连接片部根部垂直设置的引线极片部构成,该引线极片部向第一引脚的上端水平折弯,并从其根部依次成型有第一水平段、第一倾斜段、第二水平段、第二倾斜段及第三水平段,在第一水平段的右侧向上倾斜折弯有第一倾斜段,在第一倾斜段的右侧水平折弯有第二水平段,在第二水平段的右侧向下倾斜折弯有第二倾斜段,在第二倾斜段的右侧水平折弯有第三水平段,所述的第三水平段焊接在二极管芯片上。
5.根据权利要求4所述的一种二极管,其特征在于:在所述的连接片部上设有弯折线,所述的引线极片部沿着该弯折线向上180°弯折,连接片折弯后在第一引脚处形成一个断面,该断面为防溢胶断面。
6.根据权利要求4所述的一种二极管,其特征在于:在所述第一引脚及第二引脚相对一侧的端面下方均设有抓胶缺口,该抓胶缺口所成的角为尖角结构。
7.根据权利要求4所述的一种二极管,其特征在于:所述的封装体由环氧树脂注塑成型。
8.根据权利要求4所述的一种二极管,其特征在于:所述引线极片的厚度小于第一引脚的厚度。
9.一种二极管的制造方法,其特征在于:包括如下步骤:
步骤一,在芯片支撑片处放置二极管芯片,通过焊料将二极管芯片与芯片支撑片粘结或焊接在一起;
步骤二,将引线极片部依次进行折弯,形成第一水平段、第一倾斜段、第二水平段、第二倾斜段及第三水平段,即在第一水平段的右侧向上倾斜折弯有第一倾斜段,在第一倾斜段的右侧水平折弯有第二水平段,在第二水平段的右侧向下倾斜折弯有第二倾斜段,在第二倾斜段的右侧水平折弯有第三水平段;
步骤三,将引线极片部沿着连接片部处的弯折线向上进行180°的折弯,使其置于第一引脚的上端面上,引线极片部的第三水平段接触到二极管芯片的上表面,此时,第二水平段高于第一水平段及第三水平段;
步骤四,通过焊接炉,将第三水平段与二极管芯片上表面焊接在一起,芯片支撑片与芯片下表面焊接在一起;这样第一引脚与二极管芯片上表面连接,第二引脚与二极管芯片下表面连接,完成二极管本体的焊接成型;
步骤五,在成型的二极管本体上注塑成型封装体。
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