[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110244191.6 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN114497219A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 李钟锡 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 瞿艺 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
基板；
N-外延层，位于所述基板上；
第一P区域和第二P区域，彼此分开定位在所述N-外延层上；
第一N+区域，位于所述第一P区域内；
第二N+区域，位于所述第二P区域内；以及
栅极层，位于所述第一P区域与所述第二P区域之间。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第一P区域包括位于所述第一N+区域与所述栅极层之间的第三P区域；并且
所述第二P区域包括位于所述第二N+区域与所述栅极层之间的第四P区域。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述栅极层包括通过蚀刻所述第一P区域的一部分和所述第二P区域的一部分而位于所述第一N+区域与所述第二N+区域之间的区域。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极层包括：
第一栅极层，位于所述第一P区域中的突出的第三P区域与所述第二P区域中的突出的第四P区域之间；以及
第二栅极层，通过蚀刻所述第一P区域的一部分和所述第二P区域的一部分而位于所述第一N+区域与所述第二N+区域之间。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，对于所述N-外延层，所述第一栅极层的深度小于所述第二栅极层的深度。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一栅极层的宽度比所述第二栅极层的宽度窄。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述栅极层包括位于所述第一P区域中的突出的第三P区域与所述第二P区域中的突出的第四P区域之间的第一栅极层；并且
沟道形成于所述突出的第三P区域的面向所述第一栅极层的表面中，并且沟道形成于所述突出的第四P区域的面向所述第一栅极层的表面中。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述第一P区域与所述栅极层之间以及所述第二P区域与所述栅极层之间。
9.一种半导体装置，包括：
基板；
N-外延层，位于所述基板上；
多个第一P区域和多个第二P区域，在所述N-外延层上所述多个第一P区域和所述多个第二P区域彼此分开定位；
第一N+区域，定位成邻近于所述多个第一P区域；
第二N+区域，定位成邻近于所述多个第二P区域；以及
多个第一栅极层，位于所述多个第一P区域与所述多个第二P区域之间。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，还包括：
第三P区域，连接至所述多个第一P区域；以及
第四P区域，连接至所述多个第二P区域，
其中，所述第一N+区域位于所述第三P区域与所述多个第一P区域之间，
其中，所述第二N+区域位于所述第四P区域与所述多个第二P区域之间。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，还包括：多个第二栅极层，位于所述第三P区域与所述第四P区域之间。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，至于所述N-外延层，所述多个第一栅极层的深度小于所述多个第二栅极层的深度。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述多个第一栅极层和所述多个第二栅极层交替地定位并且形成为单个。
14.根据权利要求11所述的半导体装置，还包括：栅极绝缘层，位于所述第三P区域与所述多个第二栅极层之间以及所述第四P区域与所述多个第二栅极层之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社，未经现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110244191.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：终止阴离子聚合反应的方法
- 下一篇：一种单细胞测序筛选脂肪细胞标记分子的方法
- 同类专利
- 专利分类
