[发明专利]半导体加工用保护片及半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种即使通过DBG等对具有凹凸的半导体晶圆进行减薄加工时也能充分追随晶圆的凹凸并能够抑制研磨后芯片产生裂纹、且可抑制剥离时产生残胶的半导体加工用保护片。该半导体加工用保护片为具有基材、且在基材的一个主面上依次具有中间层和粘着剂层的半导体加工用保护片，中间层及粘着剂层为能量射线固化性，50℃时的能量射线固化前的半导体加工用保护片的杨氏模量为600MPa以上。

技术领域

本发明涉及半导体加工用保护片及半导体装置的制造方法。特别涉及适用于对具有凹凸的半导体晶圆的背面进行研磨并利用研磨应力等将半导体晶圆单颗化(singulation)的方法的半导体加工用保护片，以及使用该半导体加工用保护片的半导体装置的制造方法。

背景技术

在各种电子设备的小型化、多功能化的进程中，这些设备中所搭载的半导体芯片也同样要求小型化、薄型化。为了芯片的薄型化，通常会对半导体晶圆的背面进行研磨从而进行厚度调整。此外，为了获得经薄型化的芯片，有时也会利用被称为先切割法(DBG：Dicing Before Grinding)的工艺方法，其通过切割刀自晶圆表面侧形成规定深度的沟槽之后，自晶圆背面侧进行研磨，并通过研磨将晶圆单颗化，进而得到芯片。DBG能够同时进行晶圆的背面研磨和晶圆的单颗化，因此能够高效地制造薄型芯片。

以往，在进行半导体晶圆的背面研磨时、或通过DBG制造芯片时，为了保护晶圆表面的电路、或者为了保持半导体晶圆及半导体芯片，通常会在晶圆表面贴附被称为背磨片的粘着胶带。

作为在DBG中使用的背磨片，使用有具备基材和设置在基材的一个面上的粘着剂层的粘着胶带。作为这样的粘着胶带的一个实例，专利文献1及专利文献2中公开了一种粘着胶带，其具有高杨氏模量的基材，且在基材的一个面上设置有缓冲层，在另一个面上设置有粘着剂层。

近年来，作为先切割法的变形例，提出一种利用激光在晶圆内部设置改质区域，并利用对晶圆背面进行研磨时的应力等进行晶圆单颗化的方法。以下，有时将该方法记载为LDBG(Laser Dicing Before Grinding(激光先切割法))。在LDBG中，晶圆以改质区域为起点沿结晶方向切断，因此，比使用切割刀的先切割法更能减少产生崩边(chipping)。结果能够得到抗折强度优异的芯片，并且能够有助于芯片的进一步薄型化。此外，与利用切割刀在晶圆表面形成规定深度的沟槽的DBG相比，由于不存在用切割刀削掉晶圆的区域，即切口宽度极小，因此芯片的产率优异。

另一方面，在印刷线路板上安装用于MPU或门阵列等的多引脚LSI封装时，一直采用倒装芯片的安装方法，该安装方法中，作为半导体芯片，使用在其连接焊盘(pad)部形成有由共晶焊料、高温焊料、金等构成的凸状电极(凸点(bump))的芯片，并通过所谓的面朝下方式，将这些凸点与芯片搭载用基板上的相对应的端子部相对并接触，并进行熔融、扩散接合。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2015/156389号

专利文献2：日本特开2015-183008号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

该安装方法中使用的半导体芯片通过将如形成有凸状电极的半导体晶圆这种具有凹凸的半导体晶圆单颗化而得到。当通过DBG对这种具有凹凸的半导体晶圆进行研磨时，如上所述，为了在研磨时保护电路面以及防止晶圆单颗化后发生芯片移动等，会在半导体晶圆的电路面上贴附背磨胶带。

然而，当将专利文献1及专利文献2中记载的背磨胶带贴附在具有凹凸的半导体晶圆的电路面上并通过DBG进行研磨时，专利文献1及专利文献2中记载的背磨胶带不能充分追随半导体晶圆的凹凸，存在研磨时水浸入电路面、晶圆单颗化后发生芯片移动(芯片位移)等问题。此外，当在这种背磨胶带中设置软质的中间层以应对凹凸时，虽然能够追随凹凸，但当从半导体晶圆上剥离该背磨胶带时，存在在凸状电极上产生残胶的问题。