[发明专利]三维存储器及其制造方法

说明书

本公开实施例公开了一种三维存储器及其制造方法，所述三维存储器包括：衬底；叠层结构，位于所述衬底上，包括沿垂直于所述衬底的第一方向交替层叠设置的导电层和绝缘层；虚拟沟道柱，沿所述第一方向贯穿所述叠层结构，包括沿第二方向延伸的第一子沟道柱和沿第三方向延伸的第二子沟道柱；其中，所述第二方向和所述第三方向，平行于所述衬底所在的平面；在平行于所述衬底所在的平面，所述第一子沟道柱和所述第二子沟道柱交叉；栅线隔离结构，平行于所述第一方向设置在所述叠层结构中，且沿所述第二方向延伸；其中，在平行于所述衬底的平面，所述栅线隔离结构与所述虚拟沟道柱至少部分重合。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种三维存储器及三维存储器的制造方法。

背景技术

为了突破二维存储器在存储容量上的局限，现已发展三维(3D)结构的存储器，通过多层结构层堆叠在有限面积的衬底上增加存储容量。随着对存储器存储容量需求的提高，为了提高集成度，三维存储器的堆叠层数不断增加。

在三维存储器的制造过程中，为了防止堆叠结构塌陷，尤其是堆叠结构端部的台阶区，需要形成贯穿堆叠结构的支撑结构。相关技术中形成的支撑结构质量较差，且可能导致三维存储器出现短路等问题，降低三维存储器的良率。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种三维存储器及三维存储器的制造方法。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种三维存储器，包括：

衬底；

叠层结构，位于所述衬底上，包括沿垂直于所述衬底的第一方向交替层叠设置的导电层和绝缘层；

虚拟沟道柱，沿所述第一方向贯穿所述叠层结构，包括沿第二方向延伸的第一子沟道柱和沿第三方向延伸的第二子沟道柱；其中，所述第二方向和所述第三方向，平行于所述衬底所在的平面；在平行于所述衬底所在的平面，所述第一子沟道柱和所述第二子沟道柱交叉；

栅线隔离结构，平行于所述第一方向设置在所述叠层结构中，且沿所述第二方向延伸；其中，在平行于所述衬底的平面，所述栅线隔离结构与所述虚拟沟道柱至少部分重合。

在一些实施例中，所述叠层结构包括：沿所述第二方向并列设置的核心区和台阶区；其中，所述第二方向平行于所述衬底所在平面，所述核心区用于设置存储单元；

所述三维存储器还包括：覆盖所述台阶区的介质层；

所述虚拟沟道柱，沿所述第一方向贯穿所述介质层和所述台阶区。

在一些实施例中，在平行于所述衬底的平面上，所述第一子沟道柱的截面为第一矩形，所述第二子沟道柱的截面为第二矩形；其中，所述第一矩形垂直于所述第二矩形。

在一些实施例中，所述三维存储器包括沿所述第二方向并列排布的多个所述虚拟沟道柱；

在平行于所述衬底的平面上，所述栅线隔离结构具有第一截面；其中，所述第一截面沿所述第二方向穿过所述第一矩形相对设置的两个短边。

在一些实施例中，在所述第三方向上，所述栅线隔离结构的宽度不大于所述第一矩形的宽度。

在一些实施例中，所述三维存储器还包括：

导电的接触插塞，沿所述第一方向延伸且与所述导电层电连接，并在平行于所述衬底的平面上具有第二截面；其中，所述第二截面的形状为正方形或长方形；沿所述第一方向，所述接触插塞在所述衬底所在平面的投影，位于相邻四个所述虚拟沟道柱围成的间隙中。

根据本公开实施例的第二方面，提供一种三维存储器的制造方法，包括：

在衬底上形成堆叠结构；其中，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的第一方向交替层叠设置的绝缘层与牺牲层；