[发明专利]三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底；

叠层结构，位于所述衬底上，包括沿垂直于所述衬底的第一方向交替层叠设置的导电层和绝缘层；

虚拟沟道柱，沿所述第一方向贯穿所述叠层结构，包括沿第二方向延伸的第一子沟道柱和沿第三方向延伸的第二子沟道柱；其中，所述第二方向和所述第三方向，平行于所述衬底所在的平面；在平行于所述衬底所在的平面，所述第一子沟道柱和所述第二子沟道柱交叉；

栅线隔离结构，平行于所述第一方向设置在所述叠层结构中，且沿所述第二方向延伸；其中，在平行于所述衬底的平面，所述栅线隔离结构与所述虚拟沟道柱至少部分重合。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，

所述叠层结构包括：沿所述第二方向并列设置的核心区和台阶区；其中，所述第二方向平行于所述衬底所在平面，所述核心区用于设置存储单元；

所述三维存储器还包括：覆盖所述台阶区的介质层；

所述虚拟沟道柱，沿所述第一方向贯穿所述介质层和所述台阶区。

3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，

在平行于所述衬底的平面上，所述第一子沟道柱的截面为第一矩形，所述第二子沟道柱的截面为第二矩形；其中，所述第一矩形垂直于所述第二矩形。

4.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器包括沿所述第二方向并列排布的多个所述虚拟沟道柱；

在平行于所述衬底的平面上，所述栅线隔离结构具有第一截面；其中，所述第一截面沿所述第二方向穿过所述第一矩形相对设置的两个短边。

5.根据权利要求3或4所述的三维存储器，其特征在于，在所述第三方向上，所述栅线隔离结构的宽度不大于所述第一矩形的宽度。

6.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括：

导电的接触插塞，沿所述第一方向延伸且与所述导电层电连接，并在平行于所述衬底的平面上具有第二截面；其中，所述第二截面的形状为正方形或长方形；沿所述第一方向，所述接触插塞在所述衬底所在平面的投影，位于相邻四个所述虚拟沟道柱围成的间隙中。

7.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上形成堆叠结构；其中，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的第一方向交替层叠设置的绝缘层与牺牲层；

形成沿所述第一方向贯穿所述堆叠结构的虚拟沟道柱；其中，所述虚拟沟道柱包括沿第二方向延伸的第一子沟道柱和沿第三方向延伸的第二子沟道柱；在平行于所述衬底所在的平面，所述第一子沟道柱和所述第二子沟道柱交叉；所述第二方向和所述第三方向，平行于所述衬底所在的平面；

在所述堆叠结构中沿所述第一方向形成栅线隔离结构，所述栅线隔离结构沿所述第二方向延伸；其中，所述栅线隔离结构与所述虚拟沟道柱至少部分重合。

8.根据权利要求7所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

形成沿所述第一方向贯穿所述堆叠结构的虚拟沟道槽；其中，所述虚拟沟道槽包括沿所述第二方向延伸的第一子沟道槽和沿所述第三方向延伸的第二子沟道槽；在平行于所述衬底所在的平面，所述第一子沟道槽和所述第二子沟道槽交叉；

在形成所述虚拟沟道槽之后，在所述堆叠结构中沿所述第一方向形成栅线隔离槽，所述栅线隔离槽沿所述第二方向延伸；

所述形成沿所述第一方向贯穿所述堆叠结构的虚拟沟道柱，包括：在形成所述栅线隔离槽之后，填充所述第一子沟道槽，形成所述第一子沟道柱；填充所述第二子沟道槽，形成所述第二子沟道柱；

所述在所述堆叠结构中沿所述第一方向形成栅线隔离结构，包括：填充所述栅线隔离槽以形成所述栅线隔离结构。

9.根据权利要求8所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，

在平行于所述衬底的平面上，所述第一子沟道槽的截面为第一矩形，所述第二子沟道槽的截面为第二矩形；其中，所述第一矩形垂直于所述第二矩形。

10.根据权利要求9所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，在平行于所述衬底的平面上，所述栅线隔离槽具有第一截面；其中，

所述第一截面沿所述第二方向穿过所述第一矩形的相对的两个短边；

在所述第三方向上，所述栅线隔离槽的宽度不大于所述第一矩形的宽度。