[发明专利]半导体处理装置及排气方法

说明书

本发明公开一种半导体处理装置，其包括腔体、废气排出装置和控制器；所述腔体形成有用以进行多个工艺处理步骤的腔室，以及与所述腔室连通的排气口；所述废气排出装置设置在所述腔体上，配置成向所述腔室提供气流；所述控制器设置在所述腔体上，配置成因应所述多个工艺处理步骤控制所述废气排出装置的废气排出速率，使得每个步骤中的排气量对应于各对应步骤的排气目标值。本揭示还公开一种应用于所述半导体处理装置的排气方法。

技术领域

本发明涉及半导体的技术领域，特别是涉及一种半导体处理装置及排气方法。

背景技术

半导体产业在制造过程中会使用各种化合物，因而不可避免地会产生废气。例如：单片式清洗机(Wet Single)通常要在一个工艺过程中以不同的程式执行多个步骤，诸如以不同化学清洗液进行清洗的多个步骤、以去离子水进行冲洗的步骤及干燥步骤。单片式清洗机的排气(exhaust)通常是由在其顶部的风机过滤单元(fan filter unit，FFU)与在其底部的泵(Pump)共同作用产生负压，将废气排出。在不同步骤中，不同化学清洗液产生的废气量是不同的，然而现有的单片式清洗机的排气量都是预设的固定值。此使得在使用易挥发的化学清洗液的步骤中所产生的大量废气无法及时被抽走，而在单片式清洗机的腔体内凝结成液体，由废气凝结成的液体会污染设置在所述腔体内的零部件，甚至在干燥步骤时滴落至晶圆,而造成晶圆的瑕疵。若为解决此问题而将预设的固定排气量提高，则会增加能源的消耗。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种半导体处理装置，其包括腔体、废气排出装置和控制器；所述腔体形成有用以进行多个工艺处理步骤的腔室，以及与所述腔室连通的排气口；所述废气排出装置设置在所述腔体上，配置成向所述腔室提供气流以排出所述腔室内的废气；所述控制器设置在所述腔体上，配置成因应所述多个工艺处理步骤控制所述废气排出装置的废气排出速率，使得每个步骤中的排气量对应于各对应步骤的排气目标值。

在一方面，每个步骤的排气目标值对应于各对应步骤中的平均废气量。

在一方面，所述废气排出装置包括供气组件，其中所述控制废气排出装置的废气排出速率包括调整所述供气组件向所述腔室内输入的气流量。

在一方面，所述供气组件包括风机，其中所述控制废气排出装置的废气排出速率包括调节所述风机的转速。

在一方面，所述废气排出装置包括排气风门，设置在所述排气口中，其中所述控制废气排出装置的排出速率包括调节所述排气风门的开度。

在一方面，所述废气排出装置包括抽吸组件，连接至所述排气口，其中所述控制废气排出装置的废气排出速率包括调节所述抽吸组件的抽吸力度。

在一方面，所述控制器包括存储部，存储有用于控制所述废气排出装置的废气排出速率以达成所述排气目标值的程序，其中所述控制器读取并执行所述程序来控制所述废气排出装置的废气排出速率，以达成所述排气目标值。

在一方面，所述程序包括每个步骤中的所述废气排出装置的工作参数。

在一方面，所述半导体处理装置还包括供给部，所述供给部设置在所述腔体内，配置成供给所述多个工艺处理步骤所需的多种处理液；其中，每个步骤的排气目标值是对应于各对应步骤中所用的处理液的挥发性设置。

在一方面，所述半导体处理装置还包括废气量感测器，设置在所述腔体内，配置成感测所述腔体内的即时废气量，并将即时废气量传送至所述控制器，其中所述控制器还配置成将每个步骤的即时废气量与对应步骤的排气目标值相比，当即时废气量大于排气目标值时，所述控制器控制所述废气排出装置增加废气排出速率，以及当即时废气量小于排气目标值时，所述控制器控制所述废气排出装置减少废气排出速率。