[发明专利]半导体处理装置及排气方法

权利要求书

1.一种半导体处理装置，其特征在于，包括：

腔体，形成有用以进行多个工艺处理步骤的腔室，以及与所述腔室连通的排气口；

废气排出装置，设置在所述腔体上，配置成向所述腔室提供气流以排出所述腔室内的废气；以及

控制器，设置在所述腔体上，配置成因应所述多个工艺处理步骤控制所述废气排出装置的废气排出速率，使得每个步骤中的排气量对应于各对应步骤的排气目标值。

2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，每个步骤的排气目标值对应于各对应步骤中的平均废气量。

3.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述废气排出装置包括供气组件，其中所述控制废气排出装置的废气排出速率包括调整所述供气组件向所述腔室内输入的气流量。

4.根据权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述供气组件包括风机，其中所述控制废气排出装置的废气排出速率包括调节所述风机的转速。

5.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述废气排出装置包括：排气风门，设置在所述排气口中，其中所述控制废气排出装置的废气排出速率包括调节所述排气风门的开度。

6.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述废气排出装置包括：抽吸组件，连接至所述排气口，其中所述控制废气排出装置的废气排出速率包括调节所述抽吸组件的抽吸力度。

7.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述控制器包括：存储部，存储有用于控制所述废气排出装置的废气排出速率以达成所述排气目标值的程序，其中所述控制器读取并执行所述程序来控制所述废气排出装置的废气排出速率，以达成所述排气目标值。

8.根据权利要求7所述的半导体处理装置，其特征在于，所述程序包括每个步骤中的所述废气排出装置的工作参数。

9.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，还包括：供给部，设置在所述腔体内，配置成供给所述多个工艺处理步骤所需的多种处理液；其中，每个步骤的排气目标值是对应于各对应步骤中所用的处理液的挥发性设置。

10.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，还包括：废气量感测器，设置在所述腔体内，配置成感测所述腔体内的即时废气量，并将即时废气量传送至所述控制器，其中所述控制器还配置成将每个步骤的即时废气量与对应步骤的排气目标值相比，当即时废气量大于排气目标值时，所述控制器控制所述废气排出装置增加废气排出速率，以及当即时废气量小于排气目标值时，所述控制器控制所述废气排出装置减少废气排出速率。

11.一种排气方法，应用于半导体处理装置中，所述半导体处理装置包括腔体及设置在所述腔体上的废气排出装置，所述腔体形成有用以进行多个工艺处理步骤的腔室及与所述腔室连通的排气口，且所述废气排出装置配置成向所述腔室提供气流以排出所述腔室内的废气；其特征在于，所述方法包括：

因应所述多个工艺处理步骤设定各步骤的排气目标值；以及

控制所述废气排出装置的废气排出速率，使得每个步骤中的排气量对应于各对应步骤的排气目标值。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，每个步骤的排气目标值对应于各对应步骤中的平均废气量。

13.根据权利要求11所述的排气方法，其特征在于，所述废气排出装置包括供气组件，其中所述控制废气排出装置的废气排出速率包括调整所述供气组件向所述腔室内输入的气流量。

14.根据权利要求13所述的排气方法，其特征在于，所述供气组件包括风机，其中所述控制废气排出装置的废气排出速率包括调节所述风机的转速。