[发明专利]半导体装置的制造方法及树脂片材

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其是使用压缩成型装置来制造半导体装置的半导体装置的制造方法，所述压缩成型装置具备能够支承基板的第一模具、和与所述第一模具相对设置的第二模具，并且在所述第一模具及所述第二模具中的至少一者中形成有空腔，

所述制造方法包括下述工序(I)~工序(IV)，

工序(I)中，准备所述基板，

工序(II)中，准备树脂片材，该树脂片材具备由热固性的树脂组合物形成的树脂组合物层、和与所述树脂组合物层的一个表面接触的第一支承膜，

工序(III)中，将所述第一支承膜剥离，在所述树脂组合物层的两个表面上同时或不同时获得未被覆状态，

工序(IV)中，将所述树脂组合物层收纳在所述空腔内，在所述第一模具与所述第二模具之间，对所述树脂组合物层和所述基板进行加压。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

工序(II)中准备的所述树脂片材具备：

所述树脂组合物层、

与所述树脂组合物层的一个表面接触的所述第一支承膜、和

与所述树脂组合物层的另一个表面接触的第二支承膜，

工序(III)包括：将所述第一支承膜及第二支承膜剥离。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第一支承膜与所述树脂组合物层的密合力F_A[gf/cm]满足下述式(1)，

所述第二支承膜与所述树脂组合物层的密合力F_B[gf/cm]满足下述式(2)，

1.5[gf/cm]＜F_A＜20[gf/cm] (1)

1.5[gf/cm]＜F_B＜20[gf/cm] (2)。

4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一支承膜与所述树脂组合物层的密合力F_A[gf/cm]、所述第二支承膜与所述树脂组合物层的密合力F_B[gf/cm]、及100℃时的所述树脂组合物的熔体粘度η[泊]满足式(3)，

0.00005＜(F_A+F_B)/η＜0.03 (3)。

5.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第二支承膜的厚度为10μm～200μm。

6.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第二支承膜的与所述树脂组合物层接触的表面用有机硅系脱模剂进行了表面处理。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述树脂组合物层的厚度为40μm以上。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一支承膜的厚度为10μm～200μm。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一支承膜的与所述树脂组合物层接触的表面用有机硅系脱模剂进行了表面处理。

10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述树脂组合物层具有在工序(IV)中对所述树脂组合物层进行加压后填满所述空腔内部的容量。

11.一种树脂片材，其具备：

由热固性的树脂组合物形成的树脂组合物层、

与所述树脂组合物层的一个表面接触的第一支承膜、和

与所述树脂组合物层的另一个表面接触的第二支承膜，

所述树脂组合物层的厚度为40μm以上，

所述第一支承膜与所述树脂组合物层的密合力F_A[gf/cm]、所述第二支承膜与所述树脂组合物层的密合力F_B[gf/cm]、及100℃时的所述树脂组合物的熔体粘度η[泊]满足下述式(1)、式(2)及式(3)，

1.5[gf/cm]＜F_A＜20[gf/cm] (1)

1.5[gf/cm]＜F_B＜20[gf/cm] (2)

0.00005＜(F_A+F_B)/η＜0.03 (3)。