[发明专利]存储装置及其操作方法

说明书

本发明提供了一种存储装置与其操作方法。该存储装置包括多条字线，该存储装置的操作方法包括：对这些字线执行一预充操作，在一第一回合中，对这些字线的一第一被选字线群组施加一被选字线电压且对这些字线的一第一未选字线群组施加一未选字线电压，在一第二回合中，对这些字线的一第二被选字线群组施加该被选字线电压且对这些字线的一第二未选字线群组施加该未选字线电压，其中，该第一被选字线群组不同于该第二被选字线群组且该第一未选字线群组不同于该第二未选字线群组；对这些字线执行一擦除操作；以及对这些字线执行一编程操作。

技术领域

本发明属于存储技术领域，涉及一种存储装置及其操作方法。

背景技术

以目前而言，对于存储容量需求愈来愈高。故而，三层单元(Triple-level cells，TLC)、四层单元(Quad-level cells，QLC)与五层单元(Penta-level cells，QLC)等闪存已被发展出，可增加存储密度。

然而，在进行编程时，可能会遇到编程电荷水平扩散或垂直扩散(spread)，特别是高阈值电压情况下。在短程(short term)(短于毫秒)情况下，快速电荷水平移动所导致的“下限(lower bound，LB)阈值电压扩散”必需加以控制。在长程(long term)(长于毫秒)情况下，由于电荷水平移动所导致的保持电荷损失(retention charge loss)也必需抑制。

发明内容

本发明有关于一种存储装置及其操作方法，能有效抑制电荷水平移动所导致的阈值电压扩散与保持电荷损失。

根据本公开的一实例，提出一种存储装置的操作方法，该存储装置包括多条字线，该存储装置的操作方法包括：对这些字线执行一预充操作，在一第一回合中，对这些字线的一第一被选字线群组施加一被选字线电压且对这些字线的一第一未选字线群组施加一未选字线电压，在一第二回合中，对这些字线的一第二被选字线群组施加该被选字线电压且对这些字线的一第二未选字线群组施加该未选字线电压，其中，该第一被选字线群组不同于该第二被选字线群组且该第一未选字线群组不同于该第二未选字线群组；对这些字线执行一擦除操作；以及对这些字线执行一编程操作。

根据本公开的一实例，提出一种存储装置，包括：一控制器；以及一存储阵列，耦接至该控制器，该存储阵列包括多条字线。该控制器架构成：对这些字线执行一预充操作，在一第一回合中，对这些字线的一第一被选字线群组施加一被选字线电压且对这些字线的一第一未选字线群组施加一未选字线电压，在一第二回合中，对这些字线的一第二被选字线群组施加该被选字线电压且对这些字线的一第二未选字线群组施加该未选字线电压，其中，该第一被选字线群组不同于该第二被选字线群组且该第一未选字线群组不同于该第二未选字线群组；对这些字线执行一擦除操作；以及对这些字线执行一编程操作。

为了对本发明之上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图详细说明如下。

附图说明

图1A绘示根据本公开一实施例的存储装置的功能方框图。

图1B绘示根据本公开一实施例的存储阵列的示意图。

图2绘示根据本公开一实施例的存储装置的操作方法流程图。

图3A显示根据本公开一实施例的电压波形图。

图3B显示根据本公开另一实施例的电压波形图。

图4A与图4B显示根据本公开第一实施例的预充操作回合示意图。

图5A与图5B显示根据本公开第二实施例的预充操作回合示意图。

图6A至图6D显示根据本公开第三实施例的预充操作回合示意图。

图7A显示根据本公开一实施例与现有技术的短期阈值电压(Vt)扩散比较图。