[发明专利]存储装置及其操作方法在审
| 申请号: | 202110188197.6 | 申请日: | 2021-02-18 |
| 公开(公告)号: | CN114842899A | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
| 发明(设计)人: | 古绍泓;程政宪;吕君章;蔡文哲 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C16/16;G11C16/08;G11C5/02 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张琛 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储 装置 及其 操作方法 | ||
1.一种存储装置的操作方法,该存储装置包括多条字线,该存储装置的操作方法包括:
对这些字线执行一预充操作,在一第一回合中,对这些字线的一第一被选字线群组施加一被选字线电压且对这些字线的一第一未选字线群组施加一未选字线电压,在一第二回合中,对这些字线的一第二被选字线群组施加该被选字线电压且对这些字线的一第二未选字线群组施加该未选字线电压,其中,该第一被选字线群组不同于该第二被选字线群组且该第一未选字线群组不同于该第二未选字线群组;
对这些字线执行一擦除操作;以及
对这些字线执行一编程操作。
2.根据权利要求1所述的存储装置的操作方法,其中,
在该第一回合的一未选字线预导通阶段中,该被选字线电压转态至一第一被选字线电压且该未选字线电压转态至一逻辑高电平;以及
在该第一回合的一预充阶段中,该被选字线电压由该第一被选字线电压升高至一第二被选字线电压且该未选字线电压维持于该逻辑高电平,
其中,该第一被选字线电压大于0伏但小于该第二被选字线电压,该第二被选字线电压等于一编程电压,该未选字线电压的逻辑高电平为该编程电压与一第一既定电压之间的一差值。
3.根据权利要求1所述的存储装置的操作方法,其中,
在该第一回合的一未选字线预导通阶段中,该被选字线电压维持于逻辑低电平且该未选字线电压转态至一第一未选字线电压;以及
在该第一回合的一预充阶段中,该被选字线电压转态至一逻辑高电平且该未选字线电压由该第一未选字线电压升高至一第二未选字线电压,其中,该未选字线预导通阶段与该预充阶段部分重叠,
其中,该被选字线电压的逻辑高电平为一编程电压,该第一未选字线电压大于0伏但小于该第二未选字线电压,以及该第二未选字线电压等于该编程电压与一第一既定电压之间的一差值。
4.根据权利要求1所述的存储装置的操作方法,其中,这些字线包括一奇数字线群组与一偶数字线群组,该第一被选字线群组包括该奇数字线群组与该偶数字线群组的任一个而该第一未选字线群组包括该奇数字线群组与该偶数字线群组的另一个。
5.根据权利要求1所述的存储装置的操作方法,其中,
这些字线包括一第一字线群组与一第二字线群组,该第一字线群组包括多个第一字线子群组,各这些第一字线子群组包括相邻连续i条字线,i为正整数,而该第二字线群组包括多个第二字线子群组,各这些第二字线子群组包括相邻连续j条字线,j为正整数,这些第一字线子群组与这些第二字线子群组彼此交错;该第一被选字线群组包括该第一字线群组与该第二字线群组的任一个而该第一未选字线群组包括该第一字线群组与该第二字线群组的另一个;或者
这些字线为N条字线,N为正整数,该第一被选字线群组包括相邻连续k条字线而该第一未选字线群组包括这些字线中的其余(N-k)条字线,k为正整数。
6.一种存储装置,包括:
一控制器;以及
一存储阵列,耦接至该控制器,该存储阵列包括多条字线,
该控制器架构成:
对这些字线执行一预充操作,在一第一回合中,对这些字线的一第一被选字线群组施加一被选字线电压且对这些字线的一第一未选字线群组施加一未选字线电压,在一第二回合中,对这些字线的一第二被选字线群组施加该被选字线电压且对这些字线的一第二未选字线群组施加该未选字线电压,其中,该第一被选字线群组不同于该第二被选字线群组且该第一未选字线群组不同于该第二未选字线群组;
对这些字线执行一擦除操作;以及
对这些字线执行一编程操作。
7.根据权利要求6所述的存储装置,其中,
在该第一回合的一未选字线预导通阶段中,该被选字线电压转态至一第一被选字线电压且该未选字线电压转态至一逻辑高电平;以及
在该第一回合的一预充阶段中,该被选字线电压由该第一被选字线电压升高至一第二被选字线电压且该未选字线电压维持于该逻辑高电平,
其中,该第一被选字线电压大于0伏但小于该第二被选字线电压,该第二被选字线电压等于一编程电压,该未选字线电压的逻辑高电平约为该编程电压与一第一既定电压之间的一差值。
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