[发明专利]半导体结构的制造方法及半导体结构

说明书

本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，制造方法包括：提供基底，在基底上形成在第一方向上延伸的位线以及位于相邻位线之间的沟槽；形成填充沟槽的介质层和接触层，介质层与接触层在第一方向上间隔设置，且介质层和接触层均与基底接触，接触层内具有第一缝隙；去除部分接触层，以露出第一缝隙；形成填充层填充第一缝隙；回刻接触层和填充层。本发明实施例能够降低导电击穿的风险，从而提高半导体结构的良率。

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构的制造方法及半导体结构。

背景技术

半导体结构中的存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件，随机存储器分为静态随机存储器和动态随机存储器。动态随机存储器通常包括电容以及与电容连接的晶体管，电容用来存储代表存储信息的电荷，晶体管是控制电容的电荷流入和释放的开关。在写入数据时字线给出高电平，晶体管导通，位线向电容充电。读出时字线同样给出高电平，晶体管导通，电容放电，使位线获得读出信号。

接触层是实现电容与基底电连接的结构。接触层的质量对半导体结构的良率有较大影响。然而，现目前接触层的质量还有待提升。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，以提高接触层的质量，进而提高半导体结构的良率。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底，在所述基底上形成在第一方向上延伸的位线以及位于相邻所述位线之间的沟槽；形成填充所述沟槽的介质层和接触层，所述介质层与所述接触层在所述第一方向上间隔设置，且所述介质层和所述接触层均与所述基底接触，所述接触层内具有第一缝隙；去除部分所述接触层，以露出所述第一缝隙；形成填充层填充所述第一缝隙；回刻所述接触层和所述填充层。

另外，形成所述接触层的步骤包括：形成填充所述沟槽的初始接触层；对所述初始接触层进行图形化处理，以在所述沟槽内形成相互分立的多个所述接触层以及相邻所述接触层之间的间隔槽。

另外，形成所述初始接触层的方法包括：低压化学气相沉积；所述低压化学气相沉积的工艺参数包括：温度为380℃～500℃，气压为1Torr～3Torr。

另外，对所述初始接触层进行图像化处理的步骤包括：在所述初始接触层上形成在第二方向上延伸的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，对所述初始接触层进行干法刻蚀，形成所述间隔槽，直至所述间隔槽底部露出所述基底，所述第二方向与所述第一方向不同。

另外，所述第二方向与所述第一方向的夹角为75°～90°。

另外，形成介质层的步骤包括：形成所述介质层填充所述间隔槽，所述介质层内具有第二缝隙。

另外，所述制造方法还包括：在去除部分所述接触层，以露出所述第一缝隙的同时，去除部分所述介质层，以露出所述第二缝隙。

另外，在形成所述填充层填充所述第一缝隙的同时，所述填充层还填充所述第二缝隙。

另外，形成所述介质层的工艺步骤包括：形成第一子介质层，所述第一子介质层覆盖所述间隔槽的底部和侧壁；形成第二子介质层，所述第二子介质层位于所述第一子介质层表面且填充所述间隔槽，所述第二子介质层的材料与所述第一子介质层的材料不同，且所述第二子介质层内具有所述第二缝隙。

另外，在所述第一方向上，所述第一子介质层的厚度与所述间隔槽的宽度之比为1：4～1：3。

另外，回刻所述接触层以及所述填充层之后，还包括步骤：在剩余的所述接触层以及所述填充层上形成导电层。

本发明实施例还提供一种半导体结构，包括：基底，所述基底上具有在第一方向上延伸的位线；位于相邻位线之间的介质层和接触层，所述介质层和所述接触层在所述第一方向上间隔排列，且所述介质层和所述接触层均与所述基底接触；位于所述接触层内的填充层，且所述接触层露出所述第一填充层的顶面。