[发明专利]半导体结构的制造方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上形成在第一方向上延伸的位线以及位于相邻所述位线之间的沟槽；

形成填充所述沟槽的初始接触层；

对所述初始接触层进行图形化处理，以在所述沟槽内形成相互分立的多个接触层以及相邻所述接触层之间的间隔槽；

形成介质层填充所述间隔槽，所述介质层与所述接触层在所述第一方向上间隔设置，且所述介质层和所述接触层均与所述基底接触，所述接触层内具有第一缝隙，所述介质层内具有第二缝隙；

去除部分所述接触层，以露出所述第一缝隙，同时，去除部分所述介质层，以露出所述第二缝隙；

形成填充层填充所述第一缝隙，同时，所述填充层还填充所述第二缝隙；

回刻所述接触层和所述填充层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述初始接触层的方法包括：低压化学气相沉积；所述低压化学气相沉积的工艺参数包括：温度为380℃~500℃，气压为1Torr~3Torr。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，对所述初始接触层进行图像化处理的步骤包括：在所述初始接触层上形成在第二方向上延伸的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，对所述初始接触层进行干法刻蚀，形成所述间隔槽，直至所述间隔槽底部露出所述基底，所述第二方向与所述第一方向不同。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二方向与所述第一方向的夹角为75°~90°。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述介质层的工艺步骤包括：形成第一子介质层，所述第一子介质层覆盖所述间隔槽的底部和侧壁；形成第二子介质层，所述第二子介质层位于所述第一子介质层表面且填充所述间隔槽，所述第二子介质层的材料与所述第一子介质层的材料不同，且所述第二子介质层内具有所述第二缝隙。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一子介质层的厚度与所述间隔槽的宽度之比为1：4~1：3。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，回刻所述接触层以及所述填充层之后，还包括步骤：在剩余的所述接触层以及所述填充层上形成导电层。

8.一种如权利要求1至7任一项所述的半导体结构的制造方法制造的半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底上具有在第一方向上延伸的位线；

位于相邻位线之间的介质层和接触层，所述介质层和所述接触层在所述第一方向上间隔排列，且所述介质层和所述接触层均与所述基底接触；

位于所述接触层内的填充层，且所述接触层露出所述填充层的顶面。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述填充层还位于所述介质层内，且所述介质层露出所述填充层的顶面。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层包括第一子介质层和第二子介质层；所述第一子介质层覆盖所述基底的表面以及所述接触层侧壁；所述第二子介质层位于所述第一子介质层表面；所述第二子介质层的材料与所述第一子介质层的材料不同，所述填充层还位于所述第二子介质层内，且所述第二子介质层露出所述填充层的顶面。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一子介质层的材料包括氮化硅；所述第二子介质层的材料包括氧化硅；所述填充层的材料包括氮化硅。