[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

器件层，包括第一晶体管；

第一互连结构，位于所述器件层的前侧上；

第二互连结构，位于所述器件层的背侧上，所述第二互连结构包括：

第一介电层，位于所述器件层的所述背侧上；

接触件，穿过所述第一介电层延伸至所述第一晶体管的所述源极/漏极区域；

导线，通过所述接触件电连接至所述第一晶体管的所述源极/漏极区域；以及

散热路径，热连接至所述器件层，所述散热路径延伸至所述第二互连结构的与所述器件层相对的表面，其中，所述散热路径包括伪通孔。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二互连结构包括无源器件，并且其中，所述伪通孔从所述无源器件的第一部分延伸至所述无源器件的第二部分，所述无源器件的所述第一部分和所述无源器件的所述第二部分设置在所述第二互连结构的不同的介电层中。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述无源器件是电感器。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述散热路径热连接至所述导线。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导线是电源轨。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

钝化层，位于所述第二互连结构的与所述器件层相对的所述表面上；

凸块下金属(UBM)，位于所述钝化层中；以及

外部连接件，位于所述凸块下金属上，其中，所述凸块下金属和所述外部连接件热连接至所述散热路径。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述伪通孔设置在所述第二互连结构的第二介电层中，并且其中，所述钝化层接触所述第二介电层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：半导体衬底，位于所述第一互连结构的与所述器件层相对的表面上。

9.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一互连结构，位于所述衬底上方；

器件层，位于所述第一互连结构上方，其中，所述器件层包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管电连接至所述第一互连结构中的导电部件；

第二互连结构，位于所述器件层上方，所述第二互连结构包括：

电源轨，通过背侧源极/漏极接触件电连接至所述第二晶体管的源极/漏极区域；以及

伪通孔，位于所述第一介电层中，所述伪通孔热连接至所述电源轨；

钝化层，接触所述第二互连结构的所述第一介电层；以及

凸块下金属(UBM)，位于所述钝化层中，所述凸块下金属通过所述伪通孔热连接至所述电源轨。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底上形成晶体管；

减薄所述半导体衬底以暴露所述晶体管的源极/漏极区域；

在减薄所述半导体衬底之后，在所述晶体管的背侧上形成第一互连结构，其中，形成所述第一互连结构包括：

在所述晶体管的背侧上沉积第一介电层；

穿过所述第一介电层形成接触件，所述接触件电连接至所述晶体管的源极/漏极区域；

形成电连接至所述接触件的导线；以及

形成从所述导线至所述第一互连结构的与所述晶体管相对的表面的散热路径，其中，所述散热路径包括伪通孔；以及

在所述第一互连结构上方形成外部连接件，所述外部连接件通过所述伪通孔热连接至所述导线。