[发明专利]一种图形化Ag薄膜的制备方法

说明书

本发明提供一种图形化Ag薄膜的制备方法，该制备方法包括以下步骤：制备Ag薄膜；在Ag薄膜表面预形成图形化样式的部分涂覆光刻胶；将Ag薄膜未涂覆光刻胶的部分进行氧化处理至该部分转变成Ag₂O薄膜；将Ag₂O薄膜进行腐蚀处理至Ag₂O薄膜消失；将剩余带有光刻胶的Ag薄膜进行光刻胶去除，即得。本发明可精准控制Ag薄膜上图形化部分的样式和尺寸，并且应用在芯片上可以提高芯片的电性能或者光反射率。此外，本发明的制备方法工艺稳定，腐蚀一致性好，适合批量化生产。

技术领域

本发明属于MEMS制造技术领域，涉及一种图形化金属的制备方法，具体涉及一种图形化Ag薄膜的制备方法。

背景技术

在芯片制备工艺中，图形化金属是MEMS工艺中不可或缺的一环，如图形化金属掩膜、图形化金属电极和图形性金属反射层等；而金属Ag薄膜因为其超高的反射率和易制备等原因被广泛的运用于MEMS制备工艺中。

目前行业内制备Ag薄膜金属层的主要方法为热蒸发沉积和磁控溅射，无论用何种方式制备Ag薄膜金属层，对Ag薄膜图形化均需要采用湿法腐蚀工艺或者光刻胶剥离工艺。采用湿法腐蚀工艺的方案，因各向同性的机理造成Ag薄膜被溶液侧腐蚀导致Ag薄膜图形化失真。采用光刻胶剥离工艺的方案，需要带光刻胶制备Ag薄膜金属层，因有机物高温挥发的机理会制约工艺温度，从而影响Ag薄膜金属层的粘附性，在后面工序的剥离过程中导致Ag薄膜图形脱落的现象，同时光刻胶进设备腔体也会造成对设备的污染和损坏，影响设备寿命。

有鉴于此，如今迫切需要开发一种新的图形化金属薄膜制备方法，以便克服现有Ag薄膜图形化制备存在的上述缺陷。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明旨在提供一种图形化Ag薄膜的制备方法，采用该方法获得的图形化Ag薄膜可以提高芯片电性能或者光反射性能，并且工艺过程适合批量化生产。本发明的技术方案为：

第一个方面，本发明提供一种图形化Ag薄膜的制备方法，包括以下步骤：

制备Ag薄膜；

在Ag薄膜表面预形成图形化样式的部分涂覆光刻胶；

将Ag薄膜未涂覆光刻胶的部分进行氧化处理至该部分转变成Ag₂O薄膜；

将Ag₂O薄膜进行腐蚀处理至Ag₂O薄膜消失；

将剩余带有光刻胶的Ag薄膜进行光刻胶去除，即得。

进一步地，所述Ag薄膜的厚度为10nm～100nm。

优选地，所述光刻胶的厚度为1um～5um。

优选地，所述氧化处理的参数控制为：采用等离子体氧化方式，以O₂为氧化剂，N₂为保护气，其中通O₂和N₂的时间为5min～20min，射频功率为100w～500w，辉光放电时间为5min～20min。

进一步地，所述腐蚀处理是将整个Ag薄膜浸入氨水水溶液中。

优选地，所述氨水水溶液的浓度为1wt％～10wt％。

优选地，所述光刻胶去除的溶剂为丙酮和/或乙醇。

第二个方面，本发明提供一种图形化Ag薄膜，是采用上述制备方法获得。

第三个方面，本发明提供一种芯片，所述芯片上设有上述图形化Ag薄膜。

本发明的有益效果为：本发明可精准控制Ag薄膜上图形化部分的样式和尺寸，并且应用在芯片上可以提高芯片的电性能或者光反射率。此外，本发明的制备方法工艺稳定，腐蚀一致性好，适合批量化生产。