[发明专利]一种图形化Ag薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202110103618.0 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112875640A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B1/00;C23F1/02 |
| 代理公司： | 广州容大知识产权代理事务所(普通合伙) 44326 | 代理人： | 何雪霞 |
| 地址： | 517000 广东省河源*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 图形 ag 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种图形化Ag薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
制备Ag薄膜；
在Ag薄膜表面预形成图形化样式的部分涂覆光刻胶；
将Ag薄膜未涂覆光刻胶的部分进行氧化处理至该部分转变成Ag2O薄膜；
将Ag2O薄膜进行腐蚀处理至Ag2O薄膜消失；
将剩余带有光刻胶的Ag薄膜进行光刻胶去除，即得。
2.根据权利要求1所述的一种图形化Ag薄膜的制备方法，其特征在于：所述Ag薄膜的厚度为10nm～100nm。
3.根据权利要求1所述的一种图形化Ag薄膜的制备方法，其特征在于：所述光刻胶的厚度为1um～5um。
4.根据权利要求1所述的一种图形化Ag薄膜的制备方法，其特征在于：所述氧化处理的参数控制为：采用等离子体氧化方式，以O2为氧化剂，N2为保护气，其中通O2和N2的时间为5min～20min，射频功率为100w～500w，辉光放电时间为5min～20min。
5.根据权利要求1所述的一种图形化Ag薄膜的制备方法，其特征在于：所述腐蚀处理是将整个Ag薄膜浸入氨水水溶液中。
6.根据权利要求5所述的一种图形化Ag薄膜的制备方法，其特征在于：所述氨水水溶液的浓度为1wt％～10wt％。
7.根据权利要求1所述的一种图形化Ag薄膜的制备方法，其特征在于：所述光刻胶去除的溶剂为丙酮和/或乙醇。
8.一种图形化Ag薄膜，其特征在于：是采用上述制备方法获得。
9.一种芯片，其特征在于：所述芯片上设有上述图形化Ag薄膜。
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