[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

衬底，包括多个电路区块，且具有相对的第一表面以及第二表面；

至少一隔离结构，贯穿所述衬底而电隔离所述多个电路区块；

绝缘层，设置于所述衬底的所述第一表面上；

多个测试部件，设置于所述绝缘层上，且各位于一个对应的所述电路区块的纵向投影上方；

其中，所述多个测试部件中的其中之二用以被施加测试电压而使对应的两个所述电路区块中的衬底电压具有一差值。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构沿第一横向具有第一长度，所述测试部件沿所述第一横向具有第二长度，其中，所述第一长度不大于所述第二长度。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多个测试部件包括设置于同一所述绝缘层上的第一测试部件以及第二测试部件，其中：

所述第一测试部件与对应的第一电路区块的所述第一表面之间具有第一垂直距离，并被施加第一测试电压；

所述第二测试部件与对应的第二电路区块的所述第一表面之间具有第二垂直距离，并被施加第二测试电压；

且其中，所述第一垂直距离与所述第二垂直距离相等，所述第一测试电压与所述第二测试电压不相等。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多个测试部件包括设置于同一所述绝缘层上的第一测试部件以及第二测试部件，其中：

所述第一测试部件与对应的第一电路区块的所述第一表面之间具有第一垂直距离，并被施加第一测试电压；

所述第二测试部件与对应的第二电路区块的所述第一表面之间具有第二垂直距离，并被施加第二测试电压；

且其中，所述第一垂直距离与所述第二垂直距离不相等，所述第一测试电压与所述第二测试电压相等。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多个测试部件包括第一测试部件以及第二测试部件，其中：

所述第一测试部件设置于第一绝缘层上，且与对应的第一电路区块的所述第一表面之间具有第一垂直距离，并被施加第一测试电压，且所述第一绝缘层具有第一相对介电常数；

所述第二测试部件设置于第二绝缘层上，且与对应的第二电路区块的所述第一表面之间具有第二垂直距离，并被施加第二测试电压，且所述第二绝缘层具有第二相对介电常数；

且其中，所述第一垂直距离与所述第二垂直距离相等，所述第一测试电压与所述第二测试电压相等，所述第一相对介电常数与所述第二相对介电常数不相等。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，于所述绝缘层中还形成有第一连接结构以及第二连接结构，所述多个测试部件包括第一测试部件以及第二测试部件，所述第一连接结构电连接所述第一测试部件与对应的第一电路区块，所述第二连接结构电连接所述第二测试部件与对应的第二电路区块，其中，所述第一测试部件被施加第一测试电压，所述第二测试部件被施加第二测试电压，所述第一测试电压与所述第二测试电压不相等。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，被施加所述测试电压的两个所述测试部件位于同一所述隔离结构两侧的纵向投影上方。

8.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供衬底，所述衬底包括多个电路区块，且具有相对的第一表面以及第二表面；

形成贯穿所述衬底的至少一隔离结构，所述隔离结构电隔离所述多个电路区块；

在所述衬底的所述第一表面上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成多个测试部件，且所述多个测试部件各位于一个对应的所述电路区块的纵向投影上方；

其中，所述多个测试部件中的其中之二用以被施加测试电压而使对应的两个所述电路区块中的衬底电压具有一差值。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述形成贯穿所述衬底的至少一隔离结构的步骤，具体包括：

形成贯穿所述衬底的至少一隔离沟槽、并形成贯穿所述衬底的多个穿硅沟槽；

在所述隔离沟槽内填充绝缘材料而形成所述隔离结构，并在所述穿硅沟槽内填充同一所述绝缘材料而形成绝缘内壁；

在所述穿硅沟槽内继续依次填充阻挡材料以及导电材料而形成穿硅结构；

刻蚀去除所述衬底的所述第一表面上残留的所述阻挡材料以及所述导电材料。