[发明专利]一种半导体晶圆刻蚀后清洗方法

权利要求书

1.一种半导体晶圆刻蚀后清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：对半导体晶圆采用酸液进行预洗；

步骤二：采用高压二流体碱溶液进行冲洗；

步骤三：采用酸溶液进行清洗；

步骤四：采用高压二流体碱溶液进行冲洗；

步骤五：采用碱溶液进行超声清洗；

步骤六：清洗干燥；

所述半导体晶圆材料为Si、GaN、AlN、蓝宝石、SiC、InP的一种或多种组合；

所述步骤一和步骤三中采用的酸液包括酸和氧化剂、水，所述酸液采用的酸为硫酸、硝酸、盐酸、磷酸、柠檬酸中的一种或多种组合，所述酸液中的氧化剂为双氧水或臭氧。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆刻蚀后清洗方法，其特征在于，所述高压二流体碱溶液中的碱性物质为氢氧化钠、氨水，碱性物质与水体积配比为1:50~1:150。

3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆刻蚀后清洗方法，其特征在于，所述高压二流体碱溶液进行冲洗的高压为40PSI～180 PSI，且冲洗过程中碱溶液以二流体形式对晶圆进行冲洗。

4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆刻蚀后清洗方法，其特征在于，所述碱溶液为碱性氧化物和水，所述碱性氧化物为含氢氧化钠和/或氨水，所述碱性氧化物与水的体积配比为1:1~1:40。

5.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆刻蚀后清洗方法，其特征在于，所述步骤六中的清洗干燥的具体方法为：采用去离子水进行清洗甩干、高温烘干，高温烘干的温度为101℃～140℃。

6.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆刻蚀后清洗方法，其特征在于，所述步骤一和步骤三中的清洗温度为60℃～150℃。

7.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆刻蚀后清洗方法，其特征在于，所述步骤一和步骤三中的清洗均采用超声清洗，超声频率为40 KHz～1000KHz。

8.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆刻蚀后清洗方法，其特征在于，所述步骤一、三和五清洗过程全程使用超声和移动浸泡。