[发明专利]三维半导体存储器件

权利要求书

1.一种三维半导体存储器件，所述三维半导体存储器件包括：

水平结构，所述水平结构位于衬底的上表面上，所述水平结构包括在垂直方向上顺序堆叠在所述衬底的所述上表面上的第一水平图案和第二水平图案；

堆叠结构，所述堆叠结构包括在所述垂直方向上堆叠在所述水平结构上的多个电极；

垂直图案，所述垂直图案延伸穿过所述多个电极并且连接到所述第一水平图案；和

分隔结构，所述分隔结构与所述堆叠结构和所述水平结构相交并且突出到所述衬底的所述上表面中，

其中，所述多个电极中的最下面的电极包括彼此面对并且在第一方向上彼此间隔开的第一内侧壁，所述分隔结构介于所述第一内侧壁之间，并且所述第二水平图案包括彼此面对并且在所述第一方向上彼此间隔开的第二内侧壁，所述分隔结构介于所述第二内侧壁之间，并且

其中，所述第一内侧壁之间的在所述第一方向上的最大距离小于所述第二内侧壁之间的在所述第一方向上的最大距离。

2.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中，所述垂直图案包括多个垂直图案，并且所述分隔结构位于所述多个垂直图案中的第一垂直图案与所述多个垂直图案中的第二垂直图案之间并且在平行于所述衬底的所述上表面的第二方向上纵长地延伸。

3.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中，所述第一水平图案包括彼此面对并且在所述第一方向上彼此间隔开的第三内侧壁，所述分隔结构介于所述第三内侧壁之间，并且所述第三内侧壁之间的在所述第一方向上的最大距离小于所述第二内侧壁之间的在所述第一方向上的所述最大距离。

4.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中，所述第一水平图案包括彼此面对并且在所述第一方向上彼此间隔开的第三内侧壁，所述分隔结构介于所述第三内侧壁之间，并且

其中，所述分隔结构在所述第一方向上的最大宽度大于所述第三内侧壁之间的在所述第一方向上的最大距离。

5.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中，所述分隔结构在所述垂直方向上在低于所述第一水平图案的下表面的水平高度处具有在所述第一方向上的最大宽度。

6.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，所述三维半导体存储器件还包括：

绝缘层，所述绝缘层在所述分隔结构与所述第二水平图案的所述第二内侧壁中的一个第二内侧壁之间延伸，其中，所述绝缘层覆盖所述第一水平图案的上表面的一部分。

7.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中，所述衬底包括凹部，并且所述分隔结构的一部分位于所述凹部中，并且

其中，所述凹部在所述垂直方向上的深度大于所述第一水平图案在所述垂直方向上的厚度。

8.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中，所述第一水平图案包括上表面，所述上表面包括面对所述第二水平图案的第一部分和第二部分，所述第二部分朝向所述分隔结构突出超过所述第二水平图案的所述第二内侧壁中的一个第二内侧壁，使得所述第二水平图案在所述垂直方向上不与所述第一水平图案的所述上表面的所述第二部分交叠。

9.根据权利要求8所述的三维半导体存储器件，所述三维半导体存储器件还包括位于所述第一水平图案与所述第二水平图案之间的界面层，

其中，所述界面层包括碳或导电材料，并且

其中，所述界面层在所述垂直方向上不与所述第一水平图案的所述上表面的所述第二部分交叠。