[发明专利]半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其具备：

层叠体，该层叠体是多个绝缘层与多个栅极电极层沿第1方向交替地层叠而成的层叠体，所述多个栅极电极层包含第1栅极电极层和与所述第1栅极电极层在所述第1方向上相邻的第2栅极电极层，所述多个绝缘层包含位于所述第1栅极电极层与所述第2栅极电极层之间的第1绝缘层；

半导体层，该半导体层沿所述第1方向延伸；

第1电荷蓄积层，该第1电荷蓄积层被设置于所述半导体层与所述第1栅极电极层之间，且包含硅(Si)及氮(N)；

第2电荷蓄积层，该第2电荷蓄积层被设置于所述半导体层与所述第2栅极电极层之间，在与所述第1电荷蓄积层之间夹持所述第1绝缘层，与所述第1电荷蓄积层分离且包含硅(Si)及氮(N)；

第1绝缘膜，该第1绝缘膜被设置于所述半导体层与所述第1电荷蓄积层之间、所述半导体层与所述第2电荷蓄积层之间及所述半导体层与所述第1绝缘层之间；

第2绝缘膜，该第2绝缘膜被设置于所述第1绝缘膜与所述第1电荷蓄积层之间、所述第1绝缘膜与所述第2电荷蓄积层之间及所述第1绝缘膜与所述第1绝缘层之间，且包含硅(Si)及氮(N)，与所述第1电荷蓄积层及所述第2电荷蓄积层相接，化学组成与所述第1电荷蓄积层及所述第2电荷蓄积层不同；以及

第2绝缘层，该第2绝缘层被设置于所述第1电荷蓄积层与所述第1栅极电极层之间。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述第1电荷蓄积层的所述第1方向的宽度等于或大于所述第1栅极电极层的所述第1方向的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述第1电荷蓄积层为氮化硅层，所述第2电荷蓄积层为氮化硅层，所述第2绝缘膜为氮化硅膜。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述第1电荷蓄积层的硅(Si)相对于氮(N)的原子比率(Si/N)比所述第2绝缘膜的硅(Si)相对于氮(N)的原子比率(Si/N)高。

5.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述第1电荷蓄积层含有金属。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中，所述金属为铝(Al)或钛(Ti)。

7.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述第1电荷蓄积层包含硼(B)、磷(P)或锗(Ge)。

8.根据权利要求1～权利要求7中任一项所述的半导体存储装置，其中，所述第1绝缘膜为包含硅(Si)及氧(O)的膜。

9.根据权利要求1～权利要求7中任一项所述的半导体存储装置，其中，所述第2绝缘层为氧化硅层。

10.根据权利要求1～权利要求7中任一项所述的半导体存储装置，其中，所述第2绝缘层的所述第1方向的宽度与所述第1电荷蓄积层的所述第1方向的宽度实质上相同。

11.根据权利要求1～权利要求7中任一项所述的半导体存储装置，其中，所述第2绝缘层被设置于所述第1栅极电极层与所述第1绝缘层之间，所述第2绝缘层与所述第1绝缘层相接。

12.根据权利要求1～权利要求7中任一项所述的半导体存储装置，其中，所述第2绝缘层包含第1部分和位于所述第1部分与所述第1栅极电极层之间的第2部分，所述第1部分包含氧化硅，所述第2部分包含氧化铝。

13.根据权利要求12所述的半导体存储装置，其中，所述第2部分与所述第1绝缘层相接。