[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一衬底，具有一沟槽；

一氧化层，共形地位于所述沟槽中；

一保护层，位于所述沟槽中且共形地位于所述氧化层上；以及

一绝缘材料层，填充于所述沟槽中且位于所述保护层的上方，

其中，所述绝缘材料层的顶面高于所述保护层的顶面。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述氧化层还延伸至所述衬底的顶面，以定义所述氧化层的顶面。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘材料层的所述顶面与所述氧化层的所述顶面之间的一高度差与所述保护层的厚度相等。

4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述氧化层的所述顶面与所述保护层的所述顶面共平面。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

一氮化层，位于所述沟槽中且共形地位于所述保护层上，且所述绝缘材料层位于所述氮化层上，其中所述氮化层的顶面与所述绝缘材料层的所述顶面共平面。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述氮化层的所述顶面高于所述保护层的所述顶面。

7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括一原生氧化物共形地位于所述氮化层上，且位于所述氮化层和所述绝缘材料层之间，其中所述原生氧化物的顶面与所述绝缘材料层的所述顶面共平面。

8.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述氧化层延伸至所述沟槽外的所述衬底的顶面处以定义所述氧化层的顶面，所述氮化层的顶面与所述氧化层的所述顶面之间的一高度差与所述保护层的厚度相等。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层包括一多晶硅层，所述绝缘材料层包括介电常数小于4的一介电材料。

10.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底具有沟槽；

在所述衬底上依序形成一氧化层和一保护层，且所述氧化层和所述保护层顺应性地形成于所述沟槽中，并于所述沟槽中形成一开口；

在所述保护层的上方形成一牺牲材料，且所述牺牲材料填入所述开口；

移除部分的所述牺牲材料，并暴露出所述保护层的顶面；

移除留下的所述牺牲材料，以暴露出所述开口；

在所述开口中形成一绝缘材料层；以及

移除部分的所述保护层，以暴露出所述氧化层的顶面，

其中所述绝缘材料层的顶面高于所述保护层的所述顶面。

11.如权利要求10所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述绝缘材料层的所述顶面与所述氧化层的所述顶面之间的一高度差与所述保护层的厚度相等。

12.如权利要求10所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述衬底上依序形成所述氧化层、所述保护层和一氮化层，且所述氧化层、所述保护层和所述氮化层顺应性地形成于所述沟槽中，并于所述沟槽中形成所述开口；

其中，填入所述开口的所述牺牲材料形成于所述氮化层的上方。

13.如权利要求12所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述牺牲材料于所述氮化层上之后，以及移除留下的所述牺牲材料之前，还包括：

回蚀部分的所述牺牲材料，以暴露出所述氮化层的顶面；以及

移除部分的所述氮化层，以暴露出所述保护层的所述顶面。