[发明专利]驱动背板的制作方法、驱动背板及显示装置

说明书

本公开是关于一种驱动背板的制作方法、驱动背板及显示装置。驱动背板的制作方法包括：形成薄膜晶体和金属连接层；在所述金属连接层上，形成第一有机平坦化层；在所述第一有机平坦化层上沉积形成氧化铟锡ITO电极层，并形成氧化铟锡ITO电极。通过本公开实施例，可以实现平坦化，减小寄生电容，降低寄生电容对像素驱动电路的影响，从而提升显示效果。

技术领域

本公开涉及显示面板技术领域，尤其涉及驱动背板的制作方法、驱动背板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是目前液晶显示装置和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置中的主要驱动元件，属于有源矩阵液晶显示器，在技术上采用主动式矩阵的方式驱动，可以主动地对屏幕上的各个独立的像素进行控制，大大提高反应时间，实现高速度、高亮度、高对比度地显示屏幕信息，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。

显示面板行业通常使用氮化硅SiNx、氧化硅SiOx等具有较高膜面致密度及介电系数的无机材料作为保护层，隔绝两层导电薄膜直接接触。受限于成膜效率和成本，氮化硅、氧化硅等难以沉积的很厚，导致氧化铟锡ITO电极和金属层之间容易形成较大的寄生电容，影响驱动电路的存储电容充放电等电学性能，从而导致显示器件出现充电率不足、电阻电容负载过大以及错充率增大等不良问题的产生，严重影响显示面板的品质。

发明内容

为克服相关技术中存在的问题，本公开提供驱动背板的制作方法、驱动背板及显示装置。

根据本公开实施例的一方面，提供一种驱动背板的制作方法，驱动背板的制作方法包括：形成薄膜晶体和金属连接层；在所述金属连接层上，形成第一有机平坦化层；在所述第一有机平坦化层上沉积氧化铟锡ITO电极层，并形成氧化铟锡ITO电极。

在一实施例中，所述在所述金属连接层上，形成第一有机平坦化层，包括：采用涂布工艺，在所述金属连接层上涂布形成第一有机平坦化层。

在一实施例中，采用涂布工艺，在所述金属连接层上涂布形成有机平坦化层，包括：在所述有机金属连接层上涂布有机绝缘感光材料；通过高温烘烤去除所述有机绝缘感光材料中的溶剂部分，形成所述第一有机平坦化层。

在一实施例中，所述驱动背板的制作方法还包括：在所述薄膜晶体管和所述金属连接层之间形成第二有机平坦化层；对所述金属连接层和所述氧化铟锡ITO电极层进行图案化，形成氧化铟锡ITO电极，并对所述第一有机平坦化层和所述第二有机平坦化层进行过孔工艺，使所述氧化铟锡ITO电极通过所述金属连接层与所述薄膜晶体管电连接。

根据本公开实施例的又一方面，提供一种驱动背板，包括：薄膜晶体管；氧化铟锡ITO电极；金属连接层，位于所述薄膜晶体管与所述氧化铟锡ITO电极之间；第一有机平坦化层，位于所述氧化铟锡ITO电极层与所述金属连接层之间。

在一实施例中，所述第一有机平坦化层采用有机绝缘感光材料。

在一实施例中，所述第一有机平坦化层的厚度为大于2000nm。

在一实施例中，所述薄膜晶体管通过所述第一有机平坦化层与所述氧化铟锡ITO电极层电性连接。

在一实施例中，所述驱动背板还包括：第二有机平坦化层，位于所述薄膜晶体管和所述金属连接层之间。

根据本公开实施例的又一方面，提供一种显示装置，显示装置包括前述任一项所述的驱动背板。

本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：通过在驱动背板的氧化铟锡ITO电极层与金属连接层之间设置有机平坦化层，增大氧化铟锡ITO电极与金属连接层之间的钝化绝缘层的厚度，可以实现平坦化，减小寄生电容，降低寄生电容对像素驱动电路的影响，从而提升显示效果。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。