[其他]电子组件及电子设备有效
| 申请号: | 202090000371.9 | 申请日: | 2020-08-11 |
| 公开(公告)号: | CN216958013U | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
| 发明(设计)人: | 周洋;龙浩晖;叶润清;方建平;王竹秋 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 组件 电子设备 | ||
本申请提供一种电子组件及电子设备,涉及电子技术领域,用于解决电子元器件之间键合稳定性较低的问题。电子组件,包括:第一电子元器件,其第一有源面上具有至少一个第一焊盘;第二电子元器件,其第二有源面上具有至少一个第二焊盘,第二有源面与第一有源面相对设置;至少一个第一焊接部,一个第一焊接部位于一个第一焊盘和一个第二焊盘之间,且第一焊接部与位于其两侧的第一焊盘和第二焊盘键合;第一焊接部包括高温焊料层和低温焊料层;高温焊料层靠近第一焊盘设置,且与第一焊盘键合;低温焊料层靠近第二焊盘设置,且与第二焊盘键合;其中,低温焊料层的熔点低于高温焊料层的熔点,且构成低温焊料层的材料与构成高温焊料层的材料部分相同。
本申请要求于2019年08月30日提交国家知识产权局、申请号为201910817423.5、申请名称为“电子组件及电子设备”的中国专利申请的优先权,其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本申请涉及电子技术领域,尤其涉及一种电子组件及电子设备。
背景技术
随着电子技术的发展,电子设备不断向小型化、集成化、超薄化趋势发展,因此,对电子设备中的电子元器件键合工艺的要求越来越高。而电子设备中的电子元器件之间的键合效果,对电子设备的性能起到至关重要的作用。
在两个电子元器件键合时,如果采用熔融温度较高的高温焊料键合,会导致电子元器件翘曲或改变电子元器件性能,从而影响电子组件的可靠性。而如果采用键合温度较低的低温焊料键合,由于低温焊料脆性大,延展率低,使得低温焊料与电子元器件上的焊盘会形成强度较低的介面合金共化物(intermetallic compound,IMC),导致电子元器件之间键合的可靠性较低。
因此,如何在不影响电子元器件性能的基础上,提高电子元器件之间键合的稳定性,成为本领域技术人员急需解决的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种电子组件及电子设备,用于解决电子元器件之间键合稳定性较低的问题。
为达到上述目的,本实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种电子组件,包括:第一电子元器件,其第一有源面上具有至少一个第一焊盘;第二电子元器件,其第二有源面上具有至少一个第二焊盘,第二有源面与第一有源面相对设置;至少一个第一焊接部,一个第一焊接部位于一个第一焊盘和一个第二焊盘之间,且第一焊接部与位于其两侧的第一焊盘和第二焊盘键合;第一焊接部包括高温焊料层和低温焊料层;高温焊料层靠近第一焊盘设置,且与第一焊盘键合;低温焊料层靠近第二焊盘设置,且与第二焊盘键合;其中,低温焊料层的熔点低于高温焊料层的熔点,且构成低温焊料层的材料与构成高温焊料层的材料部分相同,以使得低温焊料层通过原子扩散与高温焊料层键合。本申请实施例提供的电子组件中,高温焊料层与第一焊盘键合,键合界面上形成强度较高的IMC,并且低温焊料层和高温焊料层通过原子扩散键合,在键合的过程中不会形成IMC。可提高第一电子器件与第一焊接部键合的稳定性,从而提高电子组件的稳定性。
可选的,电子组件还包括至少一个第二焊接部;第二焊接部设置在第一焊接部靠近第二焊盘一侧,且与第二焊盘键合;低温焊料层的熔点低于第二焊接部的熔点,且构成低温焊料层的材料与构成第二焊接部的材料部分相同,以使得低温焊料层通过原子扩散与第二焊接部键合。本申请实施例提供的电子组件中,第二焊接部与第二焊盘键合,键合界面上形成强度较高的IMC,并且低温焊料层和第二焊接部通过原子扩散键合,在键合的过程中不会形成IMC。可提高第二电子器件与第二焊接部键合的稳定性,从而提高电子组件的稳定性。
可选的,高温焊料层与低温焊料层的键合界面为平面;构成高温焊料层的材料为金属单质。可通过电镀工艺形成高温焊料层,工艺简单。
可选的,高温焊料层与低温焊料层的键合界面为中心向第一焊盘所在侧凹陷的曲面;构成高温焊料层的材料为金属合金。对高温焊料层的材料要求较低,可以使市面上常用的高温焊料。
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