[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

基板；

氮化物半导体层叠构造，形成于所述基板上；

源电极以及漏电极，形成于所述氮化物半导体层叠构造上；

栅电极，形成于所述源电极与所述漏电极之间的所述氮化物半导体层叠构造上；以及

表面保护膜，覆盖在所述氮化物半导体层叠构造上，

所述氮化物半导体层叠构造包括：

第1氮化物半导体层，形成于所述基板上；以及

第2氮化物半导体层，形成于所述第1氮化物半导体层上，该第2氮化物半导体层的组成与所述第1氮化物半导体层不同，

在所述第1氮化物半导体层和所述第2氮化物半导体层的异质界面形成有二维电子气，

所述表面保护膜包括：

第1绝缘膜，以与所述栅电极相接的方式形成于所述氮化物半导体层叠构造上；以及

第2绝缘膜，以与所述第1绝缘膜邻接的方式形成于所述氮化物半导体层叠构造上，具有比所述第1绝缘膜高的碳浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述表面保护膜还包括第3绝缘膜，该第3绝缘膜以与所述第2绝缘膜邻接的方式形成于所述氮化物半导体层叠构造上，具有比所述第2绝缘膜高的碳浓度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述表面保护膜由包括所述第1绝缘膜以及所述第2绝缘膜在内的碳浓度分别不同的3种以上的绝缘膜构成，

所述3种以上的绝缘膜在面内方向上排列，关于所述3种以上的绝缘膜的碳浓度，越接近所述栅电极则越低。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述栅电极的一部分向所述漏电极的方向延伸而构成栅极场板。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述源电极的一部分向所述漏电极的方向延伸而构成源极场板。

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述栅电极在剖面视图中具有T字型、Y字型或者Γ字型的形状。

7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述表面保护膜覆盖所述栅电极。

8.根据权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述表面保护膜介于所述栅电极与所述氮化物半导体层叠构造之间。

9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述氮化物半导体层叠构造还包括覆盖层，该覆盖层形成于所述第2氮化物半导体层上且由组成与所述第2氮化物半导体层不同的氮化物半导体构成。

10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述表面保护膜还包括均匀地覆盖所述表面保护膜的上表面的第4绝缘膜以及均匀地覆盖所述表面保护膜的下表面的第5绝缘膜中的一方或者两方。

11.根据权利要求1至10中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述第1绝缘膜还形成于与所述漏电极邻接的位置，

所述第2绝缘膜还形成于与和所述漏电极邻接的所述第1绝缘膜邻接的位置。