[发明专利]清洗剂组合物以及清洗方法在审
| 申请号: | 202080079477.7 | 申请日: | 2020-11-16 |
| 公开(公告)号: | CN114730709A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
| 发明(设计)人: | 荻野浩司;新城彻也;森谷俊介;奥野贵久 | 申请(专利权)人: | 日产化学株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 洗剂 组合 以及 清洗 方法 | ||
1.一种清洗剂组合物,其特征在于,所述清洗剂组合物用于去除粘接剂残留物,
所述清洗剂组合物含有季铵盐和溶剂,所述溶剂含有第一有机溶剂和第二有机溶剂,
所述第一有机溶剂是式(Z)所示的酰胺衍生物,
所述第二有机溶剂是与所述酰胺衍生物不同的其他有机溶剂,
所述清洗剂组合物的含水量小于4.0质量%,
式中,R0表示乙基、丙基或异丙基,RA和RB相互独立地表示碳原子数1~4的烷基。
2.根据权利要求1所述的清洗剂组合物,其中,
所述酰胺衍生物含有选自由N,N-二甲基丙酰胺、N,N-二乙基丙酰胺、N-乙基-N-甲基丙酰胺、N,N-二甲基丁酰胺、N,N-二乙基丁酰胺、N-乙基-N-甲基丁酰胺、N,N-二甲基异丁酰胺、N,N-二乙基异丁酰胺以及N-乙基-N-甲基异丁酰胺构成的组中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的清洗剂组合物,其中,
所述酰胺衍生物含有选自由N,N-二甲基丙酰胺、N,N-二乙基丙酰胺、N,N-二甲基丁酰胺、N,N-二乙基丁酰胺、N,N-二甲基异丁酰胺以及N,N-二乙基异丁酰胺构成的组中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的清洗剂组合物,其中,
所述酰胺衍生物含有选自由N,N-二甲基丙酰胺和N,N-二甲基异丁酰胺构成的组中的至少一种。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的清洗剂组合物,其中,
所述季铵盐含有含卤素季铵盐。
6.根据权利要求5所述的清洗剂组合物,其中,
所述含卤素季铵盐含有含氟季铵盐。
7.根据权利要求6所述的清洗剂组合物,其中,
所述含氟季铵盐含有氟化四(烃)铵。
8.根据权利要求7所述的清洗剂组合物,其中,
所述氟化四(烃)铵含有选自由氟化四甲基铵、氟化四乙基铵、氟化四丙基铵以及氟化四丁基铵构成的组中的至少一种。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的清洗剂组合物,其中,
所述第二有机溶剂含有选自由烷撑二醇二烷基醚、芳香族烃化合物以及含环状结构的醚化合物构成的组中的至少一种。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的清洗剂组合物,其中,
所述溶剂仅由有机溶剂构成。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的清洗剂组合物,其中,
在所述溶剂中含有30~90质量%的所述酰胺衍生物。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的清洗剂组合物,其中,
所述含水量小于3.0质量%。
13.根据权利要求12所述的清洗剂组合物,其中,
所述含水量小于2.0质量%。
14.根据权利要求13所述的清洗剂组合物,其中,
所述含水量小于1.0质量%。
15.一种清洗方法,其特征在于,
使用权利要求1~14中任一项所述的清洗剂组合物,将残存于基体上的粘接剂残留物去除。
16.一种经加工的半导体基板的制造方法,其特征在于,包括:
第一工序,制造具备半导体基板、支承基板以及由粘接剂组合物得到的粘接层的层叠体;
第二工序,对所得到的层叠体的半导体基板进行加工;
第三工序,在加工后将半导体基板剥离;以及
第四工序,利用清洗剂组合物将残存于剥离后的半导体基板上的粘接剂残留物清洗去除,
在经加工的半导体基板的制造方法中,作为所述清洗剂组合物,使用权利要求1~14中任一项所述的清洗剂组合物。
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