[发明专利]清洗剂组合物以及清洗方法

说明书

一种清洗剂组合物，其特征在于，所述清洗剂组合物用于去除粘接剂残留物，所述清洗剂组合物含有季铵盐和溶剂，所述溶剂含有第一有机溶剂和第二有机溶剂，所述第一有机溶剂是式(Z)所示的酰胺衍生物，所述第二有机溶剂是与所述酰胺衍生物不同的其他有机溶剂，所述清洗剂组合物的含水量小于4.0质量％。(式中，R⁰表示乙基、丙基或异丙基，R^A和R^B相互独立地表示碳原子数1～4的烷基。)。

技术领域

本发明涉及一种清洗剂组合物以及清洗方法。

背景技术

就以往在二维平面方向上集成的半导体晶片而言，以更进一步的集成化为目的，要求也将平面进一步在三维方向集成(层叠)的半导体集成技术。该三维层叠是通过硅贯通电极(TSV：through silicon via)一边接线一边集成为多层的技术。在集成为多层时，待集成的各个晶片通过研磨所形成的电路面的相反侧(即，背面)而薄化，层叠经薄化的半导体晶片。

薄化前的半导体晶片(在此，也简称为晶片)为了利用研磨装置进行研磨而粘接于支承体。此时的粘接必须在研磨后容易被剥离，因此称为临时粘接。该临时粘接必须容易从支承体拆卸，当为了拆卸而施加较大的力时，有时经薄化的半导体晶片被切断或变形，为了防止这样的情况发生而容易被拆卸。但是，在半导体晶片的背面研磨时，因研磨应力而脱离或偏移的情况是不优选的。因此，对于临时粘接所要求的性能是：能承受研磨时的应力，在研磨后容易被拆卸。例如，要求下述性能：对于研磨时的平面方向具有高应力(强粘接力)，对于拆卸时的纵向具有低应力(弱粘接力)。此外，在加工工序中有时达到150℃以上的高温，进而也要求耐热性。

在这样的状况下，在半导体领域中，主要使用能具备这些性能的聚硅氧烷系粘接剂作为临时粘接剂。并且，在使用了聚硅氧烷系粘接剂的聚硅氧烷系粘接中，经常发生将经薄化的基板剥离后粘接剂残留物残存于基板表面的情况，为了避免之后的工序中的不良情况，开发了用于去除该残留物、进行半导体基板表面的清洗的清洗剂组合物(例如专利文献1、2)，在最近的半导体领域中，对新的清洗剂组合物的期望始终存在。在专利文献1中，公开了含有极性非质子性溶剂和季铵氢氧化物的硅氧烷树脂去除剂，在专利文献2中，公开了含有氟化烷基/铵的固化树脂去除剂，但期望更有效的清洗剂组合物的出现。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2014/092022号

专利文献2：美国专利第6818608号说明书

专利文献3：韩国公开2014－0064401号

专利文献4：韩国公开2014－0024625号

专利文献5：韩国公开2016－0017606号

发明内容

发明所要解决的问题

本发明为鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供一种清洗剂组合物以及使用了这样的清洗剂组合物的清洗方法，所述清洗剂组合物例如对将使用聚硅氧烷系粘接剂得到的粘接层所产生的临时粘接剥离后的粘接剂残留物显示良好的清洗性。

用于解决问题的方案

本发明人等为了解决上述问题而进行了深入研究，结果发现如下事实，从而完成了本发明：例如在对将使用聚硅氧烷系粘接剂得到的粘接层所产生的临时粘接剥离后的粘接剂残留物所附着的半导体基板等基板进行清洗时，在使用含有季铵盐和溶剂的清洗剂组合物的情况下，组合使用规定的酰胺衍生物和与上述酰胺衍生物不同的其他有机溶剂作为上述溶剂，并且将该清洗剂组合物所含有的水的量设为小于规定的值，由此可得到清洗性优异、能缩短清洗时间的组合物。

需要说明的是，在专利文献3～5中公开了使用N，N－二甲基丙酰胺的光致抗蚀剂(photoresist)剥离液组合物、清洗剂组合物，但所有文献中均没有具体公开本发明的构成、其效果。