[发明专利]研磨用组合物

说明书

提供一种研磨用组合物，其可达成兼具高的研磨速率以及HLM周缘的隆起消除性。研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物、pH缓冲剂及水，作为前述pH缓冲剂，包含：酸解离常数(pKa)值的至少一者为9～11的范围的盐S_L，以及pKa值的至少一者为12以上的盐S_H。

技术领域

本发明涉及一种研磨用组合物。本申请主张基于2019年9月30日提出申请的日本专利申请2019-180257号及2019年12月6日提出申请的日本专利申请2019-221258号的优先权，其申请的全部内容以参照的方式并入本说明书中。

背景技术

以往，对于金属或半金属、非金属、其氧化物等的材料表面使用研磨用组合物进行精密研磨。例如，对于作为半导体制品的构成要件等使用的硅晶圆的表面，一般而言经由精磨工序或抛光工序，加工成为高等级的镜面。上述抛光工序例如包含预抛光工序(预研磨工序)与最终抛光工序(最终研磨工序)。上述预抛光工序例如包含粗研磨工序(一次研磨工序)以及中间研磨工序(二次研磨工序)。作为关于上述预研磨用组合物的技术文献，例如可列举专利文献1～2。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利申请公开平9-306880号公报

专利文献2：日本专利申请公开2018-107223号公报

发明内容

发明要解决的问题

专利文献1中，为了在上述抛光工序中有效地研磨硅晶圆的表面，研究了添加有水溶性硅酸成分的研磨用组合物。另外，专利文献2中，研磨用组合物中包含水溶性硅酸成分时，由于研磨用组合物的稳定性变差，因此研究了水溶性硅酸成分与多元酸的并用。然而，这些研磨用组合物中，无法满足近年来特别期望的研磨性能。

例如，为了识别等目的，通过用激光照射硅晶圆的表面或背面，在该硅晶圆上赋予条码、数字、记号等的标记(硬激光标记(hard laser mark)；以下有时表示为“HLM”的情况)。一般而言，HLM的赋予是在终止硅晶圆的精磨工序之后、开始抛光工序之前进行。通常，用于赋予HLM的激光束的照射会在HLM周缘的硅晶圆表面产生变质层。硅晶圆中，HLM的部分本身并不使用于最终制品，但如果在赋予HLM后的抛光工序中未对上述变质层适当地研磨，则会造成隆起而成品率有可能低于必要以上。然而，上述变质层因激光束的能量而使多晶硅等变质而变得难以研磨。因此，近年来特别需要一种将HLM周缘的隆起(以下，也仅称为“隆起”)平坦化的硅晶圆研磨用组合物。

另外，如专利文献1所示，使用期待研磨效率改善的显示高研磨速率(每单位时间去除研磨对象物的量)的研磨用组合物来研磨赋予了HLM的硅晶圆的情况，上述HLM周缘以外的容易被研磨的部位比该HLM周缘部的难被研磨的部位更加选择性地被研磨，结果难以达成隆起的消除性改善。为此，期望关于研磨速率满足实用性的要求程度的同时消除HLM周缘的隆起的性能优异的研磨用组合物。

本发明是鉴于上述情况而做出的，其目的在于，提供可达成兼具高的研磨速率与优异的HLM周缘的隆起消除性的研磨用组合物。

用于解决问题的方案

根据本说明书，提供研磨用组合物。此研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物、pH缓冲剂以及水，而作为前述pH缓冲剂，包含：酸解离常数(pKa)值的至少一者为9～11的范围的盐S_L，以及pKa值的至少一者为12以上的盐S_H。通过相关研磨用组合物，可达成兼具实用上足够高的研磨速率及优异的HLM周缘的隆起消除性。

需要说明的是，本说明书中，消除HLM周缘的隆起是指，缩小由硅晶圆的HLM周边的基准面(基准平面)至上述隆起的最高点为止的高度。对于由硅晶圆的HLM周边的基准面至上述隆起的最高点为止的高度，例如可经由后述实施例所记载的方法进行测定。