[发明专利]半导体装置的制造方法及夹头

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其包括：

(A)在基板上安装第1芯片的工序；

(B)在依次具备基材膜、压敏胶黏剂层及黏合剂层的切割晶粒接合一体型膜的所述黏合剂层贴附晶圆的工序；

(C)将所述晶圆单片化为多个第2芯片的工序；

(D)使用夹头拾取带黏合剂片的芯片的工序，所述带黏合剂片的芯片包括所述第2芯片及将所述黏合剂层单片化而成的黏合剂片；及

(E)在所述基板上压接所述带黏合剂片的芯片，以便成为所述第1芯片埋入所述黏合剂片的状态的工序，

在(E)工序中使用的所述夹头具有：主体部，具有直接传递源自压接装置的按压力的第1按压面；及突出部，具有与所述第1按压面一起构成所述带黏合剂片的芯片的保持面且沿所述第1按压面的外周设置的第2按压面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第1按压面的面积大于在俯视观察下的所述第1芯片的面积，且小于在俯视观察下的所述第2芯片的面积。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第1按压面的面积为在俯视观察下的所述第2芯片的面积的20％～90％。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述夹头由肖氏A硬度30～95的材质构成。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述突出部的厚度为0.5mm～3.0mm。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述黏合剂片的厚度为60～150μm。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述黏合剂片的剪切黏度成为5000Pa·s以下的温度在60～150℃的范围内。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

在(D)工序的拾取中使用所述夹头。

9.一种夹头，其用于压接经由将晶圆单片化的工序而获得的带黏合剂片的芯片，所述夹头具备：

主体部，具有直接传递源自压接装置的按压力的第1按压面；及

突出部，具有与所述第1按压面一起构成所述带黏合剂片的芯片的保持面且沿所述第1按压面的外周设置的第2按压面。

10.根据权利要求9所述的夹头，其中，

所述夹头由肖氏A硬度30～95的材质构成。

11.根据权利要求9或10所述的夹头，其中，

所述突出部的厚度为0.5mm～3.0mm。