[实用新型]半导体存储器

权利要求书

1.一种半导体存储器，包括衬底(10)以及位于所述衬底(10)上的多个电容器和支撑层，其特征在于，各所述电容器通过所述支撑层与至少一个相邻的所述电容器连接，所述支撑层包括第一支撑层(40)，各所述电容器包括下电极(80)、第一高K介质层(70)和上电极(100)，所述第一高K介质层(70)位于所述下电极(80)与所述上电极(100)之间，所述第一支撑层(40)与所述第一高K介质层(70)直接接触，且所述第一支撑层(40)具有与所述第一高K介质层(70)接触的第一端面(401)，所述第一高K介质层(70)完全覆盖所述第一端面(401)。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，不同所述电容器中的所述下电极(80)间隔设置于所述衬底(10)上，所述第一高K介质层(70)覆盖所述下电极(80)的侧壁，位于相邻所述下电极(80)的侧壁上的所述第一高K介质层(70)之间具有第二容纳槽(620)，所述下电极(80)远离所述衬底(10)的一侧具有第一表面(801)，所述第一支撑层(40)连接位于相邻所述下电极(80)的侧壁上的所述第一高K介质层(70)。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器，其特征在于，所述第一高K介质层(70)远离所述下电极(80)的一侧具有第二表面(701)，各所述电容器还包括：

第二高K介质层(90)，覆盖于所述第一表面(801)和至少部分所述第二表面(701)，所述第二容纳槽(620)中除所述第二高K介质层(90)之外的区域构成第三容纳槽(630)，所述上电极(100)覆盖所述第二高K介质层(90)，所述上电极(100)中的部分填充于所述第三容纳槽(630)中。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器，其特征在于，所述第一支撑层(40)在远离所述衬底(10)的方向上具有相对的第三表面(402)和第四表面(403)，所述第二高K介质层(90)完全覆盖于所述第三表面(402)和所述第四表面(403)。

5.根据权利要求3所述的半导体存储器，其特征在于，所述下电极(80)分别与所述第一高K介质层(70)和所述第二高K介质层(90)直接接触。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述支撑层还包括第二支撑层(50)，所述第二支撑层(50)位于所述第一支撑层(40)远离所述衬底(10)的一侧，且所述第二支撑层(50)分别与所述第一高K介质层(70)和所述下电极(80)直接接触。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器，其特征在于，所述下电极(80)远离所述衬底(10)的一侧具有第一表面(801)，所述第一高K介质层(70)远离所述下电极(80)的一侧具有第二表面(701)，各所述电容器还包括第二高K介质层(90)，所述第二高K介质层(90)覆盖于所述第一表面(801)和至少部分所述第二表面(701)，

所述第二支撑层(50)在远离所述衬底(10)的方向上具有相对的第五表面(501)和第六表面(502)，所述第二高K介质层(90)完全覆盖于所述第五表面(501)和所述第六表面(502)。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器，其特征在于，第五表面(501)与所述衬底(10)之间的最小垂直距离为L₁，所述第一高K介质层(70)远离所述衬底(10)的一侧端面与所述衬底(10)之间的最小垂直距离为L₂，L₁＞L₂。

9.根据权利要求6所述的半导体存储器，其特征在于，所述下电极(80)与所述第二支撑层(50)之间通过所述第一高K介质层(70)被部分隔离，所述下电极(80)中未被隔离的部分与所述第二支撑层(50)中未被隔离的部分直接接触。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体存储器，其特征在于，所述下电极(80)与所述第一支撑层(40)被所述第一高K介质层(70)完全隔绝。