[实用新型]一种半导体硅片电泳装置有效

专利信息
申请号: 202022837963.0 申请日: 2020-12-01
公开(公告)号: CN214529283U 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 祝凯;吾超凤;王雅妹 申请(专利权)人: 开化晶芯电子有限公司
主分类号: C25D13/00 分类号: C25D13/00;C25D13/22
代理公司: 温州青科专利代理事务所(特殊普通合伙) 33390 代理人: 钱磊
地址: 324300 浙江省衢州市开*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 硅片 电泳 装置
【说明书】:

实用新型涉及硅片加工技术领域,且公开了一种半导体硅片电泳装置,包括电泳池,所述电泳池的底部固定连接有第一电机,所述电泳池的内底壁转动连接有主轴。该半导体硅片电泳装置,通过设置第一电机、主轴、限位滑块、转套、放置臂、片仓、弹簧、连杆、压板、通水槽、第二电机、驱动轴、齿轮和齿板,将硅片放入片仓中,硅片挤压压板,使得弹簧压缩,弹簧的回弹力使得压板夹持住硅片,启动第一电机,主轴带动转套转动,使得各个放置臂在水中旋转,电泳池中的溶液通过通水槽开始冲刷硅片,解决了当前半导体硅片在电泳时,在电泳池中静置,导致金属离子在其表面聚集的速度过慢,且涂漆层不够完全,容易出现瑕疵的问题。

技术领域

本实用新型涉及硅片加工技术领域,具体为一种半导体硅片电泳装置。

背景技术

电泳是电泳现象的简称,指的是带电颗粒在电场作用下,向着与其电性相反的电极移动的现象。利用带电粒子在电场中移动速度不同而达到分离的技术称为电泳技术。

当前半导体硅片在电泳时,在电泳池中静置,导致金属离子在其表面聚集的速度过慢,且涂漆层不够完全,容易出现瑕疵。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种半导体硅片电泳装置,具备在电泳过程中,有利于金属离子在硅片的表面快速、完全聚集的优点,解决了当前半导体硅片在电泳时,在电泳池中静置,导致金属离子在其表面聚集的速度过慢,且涂漆层不够完全,容易出现瑕疵的问题。

(二)技术方案

为实现上述在电泳过程中,有利于金属离子在硅片的表面快速、完全聚集的目的,本实用新型提供如下技术方案:一种半导体硅片电泳装置,包括电泳池,所述电泳池的底部固定连接有第一电机,所述电泳池的内底壁转动连接有主轴,所述主轴的侧表面固定连接有限位滑块,所述主轴的侧表面设有转套,所述转套与限位滑块滑动连接,所述转套的侧表面固定连接有放置臂,所述放置臂的数量为四个,所述放置臂的顶部开设有片仓,所述片仓的侧内壁开设有内滑槽,所述内滑槽的内部设有弹簧。

所述内滑槽的内部滑动连接有连杆,所述连杆远离弹簧的一端固定连接有压板,所述片仓的宽侧内壁开设有通水槽,所述主轴的内部开设有传动槽,所述传动槽的内部转动连接有驱动轴,所述驱动轴的侧表面固定连接有齿轮,所述主轴的正面固定连接有第二电机,所述第二电机的输出端与驱动轴的前端固定连接,所述转套的顶部固定连接有齿板,所述齿板与齿轮传动连接。

优选的,所述转套的侧内壁开设有滑道,所述限位滑块延伸至滑道内部。

优选的,相邻的两个所述放置臂之间夹角相同。

优选的,所述压板的内部开设有凹槽,所述压板内部凹槽的侧内壁开设有通孔。

优选的,所述内滑槽侧内壁开设内滑道,所述连杆的侧表面固定连接有凸滑块,所述连杆的凸滑块延伸至内滑槽内滑道中。

优选的,所述电泳池的正面固定连接有水泵,所述水泵的进水口和出水口均连通有导流管,所述电泳池的右侧内壁固定连接有第一循环口,所述第一循环口的左端连通有喷口,所述第一循环口的右端与位于右侧所述导流管连通,所述电泳池的左侧内壁固定连接有第二循环口,所述第二循环口与位于左侧所述导流管连通。

与现有技术相比,本实用新型提供了一种半导体硅片电泳装置,具备以下有益效果:

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